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Modelli EDAEasyEDA
PANJIT PJW5N10
| Produttore | PANJITAsian Brands |
| Cod. Prod. | PJW5N10 |
| Cod. LCSC | C2992476 |
| Imballo | SOT-223 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | MOSFET N-CH 100V 5A SOT-223 |
| Scheda Tecnica | PANJIT PJW5N10 |
| Conformità RoHS | 1 documenti disponibili |
| Parti alternative | 5 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | PANJIT | |
| Imballo | SOT-223 | |
| Output Capacitance(Coss) | 40pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 707pF | |
| Pd - Power Dissipation | 8W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 16pF | |
| RDS(on) | 135mΩ@6V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 12nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.5V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | PANJIT | |
| Imballo | SOT-223 | |
| Output Capacitance(Coss) | 40pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 707pF | |
| Pd - Power Dissipation | 8W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Current - Continuous Drain(Id) | 5A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 16pF | |
| RDS(on) | 135mΩ@6V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 12nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.5V | |
| Type | N-Channel |
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Descrizione
Traduzione AI
The D11N20 is a high-voltage power MOSFET that employs advanced trench MOSFET technology, designed to deliver superior characteristics such as fast switching speed, low gate charge, low on-state resistance, and excellent avalanche ruggedness. This power MOSFET is commonly used in high-speed switching applications for switched-mode power supplies.
Caratteristiche
Traduzione AI
- RDS(ON), VGS@10V, ID@2.5A < 130mΩ
- RDS(ON), VGS@6V, ID@1A < 135mΩ
- Low On-Resistance
- Low input capacitance
- Lead free in compliance with EU RoHS 2.0
- Green molding compound as per IEC 61249 standard
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Disponibile: 7
7 Pronta consegna
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
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| Qtà | Pr. unit. | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 0.3612 | $ 0.36 |
| 10+ | $ 0.2813 | $ 2.81 |
| 30+ | $ 0.2475 | $ 7.43 |
| 100+ | $ 0.206 | $ 20.60 |
| 500+ | $ 0.1875 | $ 93.75 |
| 1,000+ | $ 0.1752 | $ 175.20 |
Package Standard2500/Full Reel | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | PANJIT | |
| Imballo | SOT-223 | |
| Output Capacitance(Coss) | 40pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 707pF | |
| Pd - Power Dissipation | 8W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 16pF | |
| RDS(on) | 135mΩ@6V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 12nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.5V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | PANJIT | |
| Imballo | SOT-223 | |
| Output Capacitance(Coss) | 40pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 707pF | |
| Pd - Power Dissipation | 8W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Current - Continuous Drain(Id) | 5A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 16pF | |
| RDS(on) | 135mΩ@6V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 12nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.5V | |
| Type | N-Channel |
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Descrizione
Traduzione AI
The D11N20 is a high-voltage power MOSFET that employs advanced trench MOSFET technology, designed to deliver superior characteristics such as fast switching speed, low gate charge, low on-state resistance, and excellent avalanche ruggedness. This power MOSFET is commonly used in high-speed switching applications for switched-mode power supplies.
Caratteristiche
Traduzione AI
- RDS(ON), VGS@10V, ID@2.5A < 130mΩ
- RDS(ON), VGS@6V, ID@1A < 135mΩ
- Low On-Resistance
- Low input capacitance
- Lead free in compliance with EU RoHS 2.0
- Green molding compound as per IEC 61249 standard
C2992476 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Tipo alternativo | Imballaggio | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DOT6N10 | DOINGTER | Simili | SOT-223 | 3,970 | $ 0.0838 | ||
| IPN60R1K0CE | Infineon | Simili | SOT-223 | 80 | $ 0.5524 | ||
| IPN70R600P7SATMA1 | Infineon | Simili | SOT-223 | 140 | $ 0.5891 | ||
| PHT6NQ10T,135 | Nexperia | Simili | SOT-223 | 3,845 | $ 0.4114 | ||
| IRFL4310TRPBF-JSM | JSMSEMI | Simili | SOT-223 | 1,470 | $0.2149 $0.2262 |