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Modelli EDAEasyEDA
ST STL3N65M2
| Produttore | |
| Cod. Prod. | STL3N65M2 |
| Cod. LCSC | C2969876 |
| Imballo | PowerFLAT-8HV(3.3x3.3) |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | 2W 650V 2.3A 4V 1.8Ω@10V 1 N-channel N-Channel PowerFLAT-8HV(3.3x3.3) Single FETs, MOSFETs RoHS |
| Scheda Tecnica | ST STL3N65M2 |
| Conformità RoHS | 3 documenti disponibili |
| Parti alternative | 1 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | ST | |
| Imballo | PowerFLAT-8HV(3.3x3.3) | |
| Output Capacitance(Coss) | 8pF | |
| Pd - Power Dissipation | 2W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2.3A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 0.2pF | |
| RDS(on) | 1.8Ω@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 155pF | |
| Gate Charge(Qg) | 5nC@10V | |
| Vgs | ±25V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | ST | |
| Imballo | PowerFLAT-8HV(3.3x3.3) | |
| Output Capacitance(Coss) | 8pF | |
| Pd - Power Dissipation | 2W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2.3A |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 0.2pF | |
| RDS(on) | 1.8Ω@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 155pF | |
| Gate Charge(Qg) | 5nC@10V | |
| Vgs | ±25V | |
| Type | N-Channel |
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Descrizione
Traduzione AI
This device is an N-channel power MOSFET developed using MDmesh M2 technology. Thanks to its strip layout and improved vertical structure, the device features low on-resistance and optimized switching characteristics, making it suitable for the most demanding high-efficiency converters.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Ultra-low gate charge
- Excellent output capacitance (Coss) characteristics
- 100% avalanche tested
- Zener protection
Applicazioni
Traduzione AI
- Switching applications
Garanzia su ogni ordine
100% Autentico · Reso o Sostituzione entro 30 Giorni
Esaurito
Avvisami
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
| Qtà | Pr. unit.(Solo per riferimento) | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 2.2518 | $ 2.25 |
| 10+ | $ 2.2177 | $ 22.18 |
| 30+ | $ 2.1933 | $ 65.80 |
| 100+ | $ 2.1689 | $ 216.89 |
Package Standard3000/Full Reel | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | ST | |
| Imballo | PowerFLAT-8HV(3.3x3.3) | |
| Output Capacitance(Coss) | 8pF | |
| Pd - Power Dissipation | 2W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2.3A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 0.2pF | |
| RDS(on) | 1.8Ω@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 155pF | |
| Gate Charge(Qg) | 5nC@10V | |
| Vgs | ±25V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | ST | |
| Imballo | PowerFLAT-8HV(3.3x3.3) | |
| Output Capacitance(Coss) | 8pF | |
| Pd - Power Dissipation | 2W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2.3A |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 0.2pF | |
| RDS(on) | 1.8Ω@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 155pF | |
| Gate Charge(Qg) | 5nC@10V | |
| Vgs | ±25V | |
| Type | N-Channel |
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Descrizione
Traduzione AI
This device is an N-channel power MOSFET developed using MDmesh M2 technology. Thanks to its strip layout and improved vertical structure, the device features low on-resistance and optimized switching characteristics, making it suitable for the most demanding high-efficiency converters.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Ultra-low gate charge
- Excellent output capacitance (Coss) characteristics
- 100% avalanche tested
- Zener protection
Applicazioni
Traduzione AI
- Switching applications
C2969876 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Tipo alternativo | Imballaggio | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STL3NM60N | ST | Simili | PowerFLAT-8(3.3x3.3) | 2,940 | $ 0.9895 |
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