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EDA-ModelleEasyEDA
SAMSUNG KLMCG8GESD-B03Q
| Hersteller | |
| Herst.-Teilenr. | KLMCG8GESD-B03Q |
| LCSC-Nr. | C2920528 |
| Verp. | - |
| Kundennummer | |
| Hauptmerkm. | 64GB Memory |
Produktspezifikationen
Alle
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Kategorie | Integrated Circuits (ICs)/Memory/Memory | |
| Hersteller | SAMSUNG | |
| Verp. | - | |
| Operating Temperature | -40℃~+105℃ | |
| Memory Size | 64GB | |
| NAND Operating Voltage (VCCF) | 1.8V;3.3V |
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Kategorie | Integrated Circuits (ICs)/Memory/Memory | |
| Hersteller | SAMSUNG | |
| Verp. | - |
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Operating Temperature | -40℃~+105℃ | |
| Memory Size | 64GB | |
| NAND Operating Voltage (VCCF) | 1.8V;3.3V |
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Produktspezifikationen
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| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Kategorie | Integrated Circuits (ICs)/Memory/Memory | |
| Hersteller | SAMSUNG | |
| Verp. | - | |
| Operating Temperature | -40℃~+105℃ | |
| Memory Size | 64GB | |
| NAND Operating Voltage (VCCF) | 1.8V;3.3V |
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Kategorie | Integrated Circuits (ICs)/Memory/Memory | |
| Hersteller | SAMSUNG | |
| Verp. | - |
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Operating Temperature | -40℃~+105℃ | |
| Memory Size | 64GB | |
| NAND Operating Voltage (VCCF) | 1.8V;3.3V |
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Compliance & Exportcodes
| Typ | Details |
|---|---|
| ECCN | - |
| CNHTS | 8542329000 |
| USHTS | 8542320071 |
| TARIC | 8542329000 |
| CAHTS | 8542330000 |
| BRHTS | 85423299 |
| INHTS | 85423200 |
| MXHTS | 8542.32.99 |
| Typ | Details |
|---|---|
| ECCN | - |
| CNHTS | 8542329000 |
| USHTS | 8542320071 |
| TARIC | 8542329000 |
| Typ | Details |
|---|---|
| CAHTS | 8542330000 |
| BRHTS | 85423299 |
| INHTS | 85423200 |
| MXHTS | 8542.32.99 |