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SAMSUNG K4F2E3S4HA-GHCL
| Fabricante | |
| N.º de pieza fab. | K4F2E3S4HA-GHCL |
| Nº LCSC | C2920208 |
| Emb. | FBGA-200 |
| Número de Cliente | |
| Atrib. clave | 12Gbit LPDDR4 FBGA-200 Memory |
Especificaciones del Producto
Todo
| Tipo | Descripción | |
|---|---|---|
| Categoría | Integrated Circuits (ICs)/Memory/Memory | |
| Fabricante | SAMSUNG | |
| Emb. | FBGA-200 | |
| Operating Temperature | -40℃~+105℃ | |
| Memory Size | 12Gbit | |
| Voltage - Supply | 1.8V;1.1V | |
| Interface | LPDDR4 |
| Tipo | Descripción | |
|---|---|---|
| Categoría | Integrated Circuits (ICs)/Memory/Memory | |
| Fabricante | SAMSUNG | |
| Emb. | FBGA-200 | |
| Operating Temperature | -40℃~+105℃ |
| Tipo | Descripción | |
|---|---|---|
| Memory Size | 12Gbit | |
| Voltage - Supply | 1.8V;1.1V | |
| Interface | LPDDR4 |
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Especificaciones del Producto
Todo
| Tipo | Descripción | |
|---|---|---|
| Categoría | Integrated Circuits (ICs)/Memory/Memory | |
| Fabricante | SAMSUNG | |
| Emb. | FBGA-200 | |
| Operating Temperature | -40℃~+105℃ | |
| Memory Size | 12Gbit | |
| Voltage - Supply | 1.8V;1.1V | |
| Interface | LPDDR4 |
| Tipo | Descripción | |
|---|---|---|
| Categoría | Integrated Circuits (ICs)/Memory/Memory | |
| Fabricante | SAMSUNG | |
| Emb. | FBGA-200 | |
| Operating Temperature | -40℃~+105℃ |
| Tipo | Descripción | |
|---|---|---|
| Memory Size | 12Gbit | |
| Voltage - Supply | 1.8V;1.1V | |
| Interface | LPDDR4 |
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Cumplimiento & Códigos de Exportación
| Tipo | Detalles |
|---|---|
| ECCN | - |
| CNHTS | 8542329000 |
| USHTS | 8542320071 |
| TARIC | 8542329000 |
| CAHTS | 8542330000 |
| BRHTS | 85423299 |
| INHTS | 85423200 |
| MXHTS | 8542.32.99 |
| Tipo | Detalles |
|---|---|
| ECCN | - |
| CNHTS | 8542329000 |
| USHTS | 8542320071 |
| TARIC | 8542329000 |
| Tipo | Detalles |
|---|---|
| CAHTS | 8542330000 |
| BRHTS | 85423299 |
| INHTS | 85423200 |
| MXHTS | 8542.32.99 |