VISHAY IRFB18N50KPBF
| Produttore | |
| Cod. Prod. | IRFB18N50KPBF |
| Cod. LCSC | C2913651 |
| Imballo | TO-220 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | MOSFET N-CH 500V 17A TO-220 |
| Scheda Tecnica | VISHAY IRFB18N50KPBF |
| Conformità RoHS | 2 documenti disponibili |
| Parti alternative | 5 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VISHAY | |
| Imballo | TO-220 | |
| Output Capacitance(Coss) | 330pF | |
| Pd - Power Dissipation | 220W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 500V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 17A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 38pF | |
| RDS(on) | 290mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 2.83nF | |
| Gate Charge(Qg) | 120nC@10V | |
| Vgs | ±30V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VISHAY | |
| Imballo | TO-220 | |
| Output Capacitance(Coss) | 330pF | |
| Pd - Power Dissipation | 220W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 500V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 17A |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 38pF | |
| RDS(on) | 290mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 2.83nF | |
| Gate Charge(Qg) | 120nC@10V | |
| Vgs | ±30V | |
| Type | N-Channel |
Aiuto & FeedbackMostra prodotti simili (0) >
Descrizione
Traduzione AI
- Trench power low-voltage MOSFET technology
- High-density cell design for low RDS(ON)
- High-speed switching
Caratteristiche
Traduzione AI
- Low gate charge Qg results in simple drive requirement
- Improved gate, avalanche, and dynamic dV/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current
- Low RDS(on)
Applicazioni
Traduzione AI
- Switch mode power supply (SMPS)
- Uninterruptible power supply
- High speed power switching
- Hard switched and high frequency circuits
Garanzia su ogni ordine
100% Autentico · Reso o Sostituzione entro 30 Giorni
Disponibile: 17
17 Pronta consegna
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
| Qtà | Pr. unit. | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 5.0148 | $ 5.01 |
| 10+ | $ 4.3237 | $ 43.24 |
| 50+ | $ 3.6669 | $ 183.35 |
| 100+ | $ 3.251 | $ 325.10 |
| 500+ | $ 3.0593 | $ 1529.65 |
| 1,000+ | $ 2.9725 | $ 2972.50 |
Package Standard50/Full Tube | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VISHAY | |
| Imballo | TO-220 | |
| Output Capacitance(Coss) | 330pF | |
| Pd - Power Dissipation | 220W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 500V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 17A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 38pF | |
| RDS(on) | 290mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 2.83nF | |
| Gate Charge(Qg) | 120nC@10V | |
| Vgs | ±30V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VISHAY | |
| Imballo | TO-220 | |
| Output Capacitance(Coss) | 330pF | |
| Pd - Power Dissipation | 220W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 500V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 17A |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 38pF | |
| RDS(on) | 290mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 2.83nF | |
| Gate Charge(Qg) | 120nC@10V | |
| Vgs | ±30V | |
| Type | N-Channel |
Aiuto & FeedbackMostra prodotti simili (0) >
Descrizione
Traduzione AI
- Trench power low-voltage MOSFET technology
- High-density cell design for low RDS(ON)
- High-speed switching
Caratteristiche
Traduzione AI
- Low gate charge Qg results in simple drive requirement
- Improved gate, avalanche, and dynamic dV/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current
- Low RDS(on)
Applicazioni
Traduzione AI
- Switch mode power supply (SMPS)
- Uninterruptible power supply
- High speed power switching
- Hard switched and high frequency circuits
C2913651 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Tipo alternativo | Imballaggio | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FDP18N50 | onsemi | Simili | TO-220 | 221 | $ 2.945 | ||
| STP20NK50Z | ST | Simili | TO-220 | 963 | $ 2.4077 | ||
| FDPF20N50FT | onsemi | Simili | TO-220 | 39 | $ 6.3864 | ||
| FDP20N50F | onsemi | Simili | TO-220 | 1,146 | $ 2.9882 | ||
| CMP20N50A | Cmos | Simili | TO-220 | 170 | $0.6555 $0.69 |
5 altri componenti alternativi.Visualizza tutti i sostituti



