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TECH PUBLIC SI2301DS

Fabricante
TECH PUBLICAsian Brands
N.º de pieza fab.
SI2301DS
Nº LCSC
C2841444
Emb.
SOT-23-3
Número de Cliente
Atrib. clave
MOSFET 20V 3A SOT-23-3
Hoja de DatosTECH PUBLIC SI2301DS
Piezas alternativas5
Garantía en cada pedido
100% Auténtico · Devolución o Reemplazo en 30 Días

Especificaciones del Producto

Todo
TipoDescripción
CategoríaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
FabricanteTECH PUBLIC
Emb.SOT-23-3
Output Capacitance(Coss)75pF
Ciss-Input Capacitance405pF
Pd - Power Dissipation1W
Configuration-
Operating Temperature-55℃~+150℃
Drain to Source Voltage20V
Current - Continuous Drain(Id)3A
Reverse Transfer Capacitance (Crss)55pF
RDS(on)110mΩ@4.5V
Number1 P-Channel
Gate Charge(Qg)12nC
Vgs±12V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))1V
TypeP-Channel
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Descripción

Traducción por IA

This product features advanced trench technology MOSFETs with excellent on-resistance RDS(ON) and low gate charge. Complementary MOSFETs can be used to form level-shifting high-side switches and are suitable for numerous other applications.

Características

Traducción por IA
  • Drain-source voltage VDS: 200V
  • Drain current ID (at VGS = 10V): 1.7A
  • On-resistance RDS(ON) (at VGS = 10V): < 0.85 Ω
  • On-resistance RDS(ON) (at VGS = 4.5V): < 0.9Ω
  • 100% avalanche tested
  • RoHS compliant
  • ESD (HBM): >5.0 kV

Aplicaciones

Traducción por IA
  • Battery Protection - Load Switch - Power Management