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onsemi FQD8P10TM

Fabricante
onsemi
N.º de pieza fab.
FQD8P10TM
Nº LCSC
C241842
Emb.
DPAK
Número de Cliente
Atrib. clave
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Hoja de Datosonsemi FQD8P10TM
Cumplimiento RoHS2 documentos disponibles
Piezas alternativas5
Garantía en cada pedido
100% Auténtico · Devolución o Reemplazo en 30 Días

Especificaciones del Producto

Todo
TipoDescripción
CategoríaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
Fabricanteonsemi
Emb.DPAK
Output Capacitance(Coss)155pF
Ciss-Input Capacitance470pF
Pd - Power Dissipation44W
Configuration-
Operating Temperature-55℃~+150℃
Drain to Source Voltage100V
Current - Continuous Drain(Id)6.6A
Reverse Transfer Capacitance (Crss)40pF
RDS(on)530mΩ@10V
Number1 P-Channel
Gate Charge(Qg)15nC@10V
Vgs±30V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))4V
TypeP-Channel
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Descripción

Traducción por IA

This P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.

Características

Traducción por IA
  • -6.6 A, -100 V, RDS(on)=530 mΩ (Max) @ VGS = -10 V, ID=-3.3 A
  • Low Gate Charge (Typ. 12 nC)
  • Low Crss (Typ. 30 pF)
  • 100% Avalanche Tested

Aplicaciones

Traducción por IA
  • Switched mode power supplies
  • Audio amplifier
  • DC motor control
  • Variable switching power applications