5% OFF
- Rozmieszczenie wyprowadzeń
- Footprint
Zdjęcia poglądowe
Modele EDAEasyEDA
HXY MOSFET Si2304BDS-T1-GE3-HXY
| Producent | HXY MOSFETAsian Brands |
| Nr części prod. | Si2304BDS-T1-GE3-HXY |
| Nr LCSC | C22367342 |
| Opak. | SOT-23 |
| Numer Klienta | |
| Klucz. cechy | MOSFET N-CH 30V 4A SOT-23 |
| Karta Katalogowa | HXY MOSFET Si2304BDS-T1-GE3-HXY |
| Części alternatywne | 5 |
Specyfikacje Produktu
Wszystko
| Typ | Opis | |
|---|---|---|
| Kategoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Producent | HXY MOSFET | |
| Opak. | SOT-23 | |
| Configuration | Standalone | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Output Capacitance(Coss) | 44pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Pd - Power Dissipation | 1W | |
| RDS(on) | 29mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 3nC@10V | |
| Type | N-Channel |
| Typ | Opis | |
|---|---|---|
| Kategoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Producent | HXY MOSFET | |
| Opak. | SOT-23 | |
| Configuration | Standalone | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Output Capacitance(Coss) | 44pF |
| Typ | Opis | |
|---|---|---|
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Pd - Power Dissipation | 1W | |
| RDS(on) | 29mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 3nC@10V | |
| Type | N-Channel |
Pomoc i opiniePokaż podobne produkty (0) >
Gwarancja na każde zamówienie
100% Oryginalne · Zwrot lub Wymiana w ciągu 30 Dni
Na stanie: 20
20 W magazynie, wysyłka natychmiastowa
Minimum: 10Wielokrotność: 10Jednostka sprzedaży: Piece
Dodaj do Listy BOM
| Szt. | Cena jedn. | Suma całkowita |
|---|---|---|
| 10+ | $ 0.0541$ 0.0514 | $ 0.51 |
| 100+ | $ 0.0433$ 0.0412 | $ 4.12 |
| 300+ | $ 0.0379$ 0.0361 | $ 10.83 |
| 3,000+ | $ 0.0338$ 0.0322 | $ 96.60 |
| 6,000+ | $ 0.0306$ 0.0291 | $ 174.60 |
| 9,000+ | $ 0.0289$ 0.0275 | $ 247.50 |
Standardowa Obudowa3000/Full Reel | ||
Lepsza cena za większą ilość?
$
Specyfikacje Produktu
Wszystko
| Typ | Opis | |
|---|---|---|
| Kategoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Producent | HXY MOSFET | |
| Opak. | SOT-23 | |
| Configuration | Standalone | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Output Capacitance(Coss) | 44pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Pd - Power Dissipation | 1W | |
| RDS(on) | 29mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 3nC@10V | |
| Type | N-Channel |
| Typ | Opis | |
|---|---|---|
| Kategoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Producent | HXY MOSFET | |
| Opak. | SOT-23 | |
| Configuration | Standalone | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Output Capacitance(Coss) | 44pF |
| Typ | Opis | |
|---|---|---|
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Pd - Power Dissipation | 1W | |
| RDS(on) | 29mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 3nC@10V | |
| Type | N-Channel |
Pomoc i opiniePokaż podobne produkty (0) >
C22367342 Biblioteka EasyEDA
Zgodność & Kody Eksportowe
| Typ | Szczegóły |
|---|---|
| ECCN | |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Typ | Szczegóły |
|---|---|
| ECCN | |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Typ | Szczegóły |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Części alternatywne
| MPN | Producent | Typ alternatywny | Opakowanie | Dostępność | Cena jednostkowa | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Si2306BDS-T1-GE3-HXY | HXY MOSFET | Podobne | SOT-23 | 2,850 | $0.0650 $0.0684 | ||
| Si2316BDS-T1-GE3-HXY | HXY MOSFET | Podobne | SOT-23 | 10 | $0.0652 $0.0686 | ||
| Si2316DS-T1-E3-HXY | HXY MOSFET | Podobne | SOT-23 | 290 | $0.1839 $0.1935 | ||
| Si2304DDS-T1-GE3-HXY | HXY MOSFET | Podobne | SOT-23 | 2,230 | $0.0387 $0.0407 | ||
| Si2304BDS-T1-E3-HXY | HXY MOSFET | Podobne | SOT-23 | 620 | $0.1583 $0.1666 |