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ST DALC112S1RL

Fabricante
ST
Cód. da peça
DALC112S1RL
Nº LCSC
C1973806
Emb.
SOIC-8
Número do Cliente
Atrib. princ.
ESD DIODE 18VWM SOIC-8
Folha de DadosST DALC112S1RL
Conformidade RoHS2 documentos disponíveis
Garantia em cada pedido
100% Autêntico · Devolução ou Substituição em 30 Dias

Especificações do Produto

Tudo
TipoDescrição
CategoriaCircuit Protection/Transient Voltage Suppressors (TVS)/TVS Diodes
FabricanteST
Emb.SOIC-8
Clamping Voltage-
Operating Temperature-55℃~+150℃
Peak Pulse Current (Ipp)-
Peak Pulse Power Dissipation (Ppp)-
Voltage - Breakdown-
Number of Channels6
typeESD
PolarityUnidirectional
Reverse Leakage Current (Ir)2uA
Reverse Stand-Off Voltage (Vrwm)18V
Ajuda e FeedbackMostrar produtos similares (0) >

Descrição

Tradução por IA

ARRAY of 12 diodes configured by cells of 2 diodes, each cell being used to protect signal line from transient overvoltages by clamping action. Its very low capacitance allows to protect fast signals with no distortion. It is particularly suited for the protection of graphic video ports.

Recursos

Tradução por IA
  • ARRAY OF 12 DIODES FOR ESD PROTECTION.
  • PEAK REVERSE VOLTAGE VRRM = 18V PER DIODE.
  • VERY LOW CAPACITANCE PER DIODE: C < 5 pF
  • VERY LOW LEAKAGE CURRENT: h < 2 μA
  • COMPLIES WITH THE FOLLOWING STANDARDS: IEC 1000 - 4 - 2 level 3 8 kV (air discharge) 6 kV (contact discharge)

Aplicações

Tradução por IA
  • LAN/ WAN equipment
  • Computer I/O
  • Graphic video port
  • Set top box I/O