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onsemi FDA16N50-F109
| Fabricante | |
| Cód. da peça | FDA16N50-F109 |
| Nº LCSC | C898134 |
| Emb. | TO-3P-3L |
| Número do Cliente | |
| Atrib. princ. | 205W 500V 16.5A 310mΩ@VGS=10V,ID=8.3A 1 N-channel N-Channel TO-3P-3L Single FETs, MOSFETs RoHS |
| Folha de Dados | onsemi FDA16N50-F109 |
| Conformidade RoHS | 4 documentos disponíveis |
| Peças alternativas | 5 |
Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | onsemi | |
| Emb. | TO-3P-3L | |
| Output Capacitance(Coss) | 235pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.495nF | |
| Pd - Power Dissipation | 205W | |
| Configuration | - | |
| Drain to Source Voltage | 500V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 16.5A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 20pF | |
| RDS(on) | 310mΩ@VGS=10V,ID=8.3A | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 32nC | |
| Vgs | ±30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | onsemi | |
| Emb. | TO-3P-3L | |
| Output Capacitance(Coss) | 235pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.495nF | |
| Pd - Power Dissipation | 205W | |
| Configuration | - | |
| Drain to Source Voltage | 500V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Current - Continuous Drain(Id) | 16.5A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 20pF | |
| RDS(on) | 310mΩ@VGS=10V,ID=8.3A | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 32nC | |
| Vgs | ±30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Type | N-Channel |
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Descrição
Tradução por IA
UniFET™ MOSFET is a family of high-voltage MOSFETs based on planar stripe and DMOS technology. These MOSFETs are designed to deliver reduced on-resistance, improved switching performance, and higher avalanche energy capability. This device family is suited for switching power converter applications such as Power Factor Correction (PFC), Flat Panel Display (FPD) TV power supplies, ATX power supplies, and electronic lamp ballasts.
Recursos
Tradução por IA
- R DS(on) = 380 mΩ (max) at V GS = 10 V, I D = 8.3 A
- Low gate charge (32 nC typical)
- Low C rss (20 pF typical)
- 100% avalanche tested
Aplicações
Tradução por IA
- Plasma TV
- Uninterruptible Power Supply
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| Qtd. | Preço unit.(Apenas para referência) | Valor total |
|---|---|---|
| 1+ | $ 2.7952 | $ 2.80 |
| 10+ | $ 2.3777 | $ 23.78 |
| 30+ | $ 2.1152 | $ 63.46 |
| 100+ | $ 1.8466 | $ 184.66 |
| 450+ | $ 1.7253 | $ 776.39 |
| 900+ | $ 1.6731 | $ 1505.79 |
Encapsulamento Padrão450/Full Tube | ||
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Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | onsemi | |
| Emb. | TO-3P-3L | |
| Output Capacitance(Coss) | 235pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.495nF | |
| Pd - Power Dissipation | 205W | |
| Configuration | - | |
| Drain to Source Voltage | 500V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 16.5A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 20pF | |
| RDS(on) | 310mΩ@VGS=10V,ID=8.3A | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 32nC | |
| Vgs | ±30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | onsemi | |
| Emb. | TO-3P-3L | |
| Output Capacitance(Coss) | 235pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.495nF | |
| Pd - Power Dissipation | 205W | |
| Configuration | - | |
| Drain to Source Voltage | 500V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Current - Continuous Drain(Id) | 16.5A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 20pF | |
| RDS(on) | 310mΩ@VGS=10V,ID=8.3A | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 32nC | |
| Vgs | ±30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Type | N-Channel |
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Descrição
Tradução por IA
UniFET™ MOSFET is a family of high-voltage MOSFETs based on planar stripe and DMOS technology. These MOSFETs are designed to deliver reduced on-resistance, improved switching performance, and higher avalanche energy capability. This device family is suited for switching power converter applications such as Power Factor Correction (PFC), Flat Panel Display (FPD) TV power supplies, ATX power supplies, and electronic lamp ballasts.
Recursos
Tradução por IA
- R DS(on) = 380 mΩ (max) at V GS = 10 V, I D = 8.3 A
- Low gate charge (32 nC typical)
- Low C rss (20 pF typical)
- 100% avalanche tested
Aplicações
Tradução por IA
- Plasma TV
- Uninterruptible Power Supply
C898134 Biblioteca EasyEDA
Conformidade & Códigos de Exportação
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Peças alternativas
| MPN | Fabricante | Tipo alternativo | Embalagem | Disponibilidade | Preço unitário | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXFQ20N50P3 | Littelfuse/IXYS | Similares | TO-3P | 52 | $ 5.2955 | ||
| TSA20N65MR | Truesemi | Similares | TO-3P-3 | 20 | $ 1.6294 | ||
| IXTQ460P2 | Littelfuse/IXYS | Similares | TO-3P-3 | 354 | $ 4.1083 | ||
| FDA18N50 | onsemi | Similares | TO-3PN | 100 | $ 2.3157 | ||
| BRU20N50 | BLUE ROCKET | Similares | TO-3P | 2 | $ 1.299 |