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Modelli EDAEasyEDA
Infineon IPP600N25N3GXKSA1
| Produttore | |
| Cod. Prod. | IPP600N25N3GXKSA1 |
| Cod. LCSC | C6879770 |
| Imballo | TO-220-3 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | MOSFET N-CH 250V 25A TO-220-3 |
| Scheda Tecnica | Infineon IPP600N25N3GXKSA1 |
| Conformità RoHS | 1 documenti disponibili |
| Parti alternative | 5 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Infineon | |
| Imballo | TO-220-3 | |
| Output Capacitance(Coss) | 112pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.35nF | |
| Pd - Power Dissipation | 136W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 250V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 25A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 149pF | |
| RDS(on) | 60mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 29nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Infineon | |
| Imballo | TO-220-3 | |
| Output Capacitance(Coss) | 112pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.35nF | |
| Pd - Power Dissipation | 136W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 250V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Current - Continuous Drain(Id) | 25A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 149pF | |
| RDS(on) | 60mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 29nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Type | N-Channel |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- N-channel, normally-on
- Excellent gate charge × RDS(on) product (figure of merit)
- Ultra-low on-resistance RDS(on)
- Operating temperature up to 175°C
- Lead-free pin plating; RoHS compliant
- JEDEC qualified for target applications
- Halogen-free per IEC61249-2-21
- Suitable for high-frequency switching and synchronous rectification
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Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
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| Qtà | Pr. unit. | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 4.2823 | $ 4.28 |
| 10+ | $ 3.8381 | $ 38.38 |
| 50+ | $ 3.5595 | $ 177.98 |
| 100+ | $ 3.276 | $ 327.60 |
| 500+ | $ 3.1466 | $ 1573.30 |
| 1,000+ | $ 3.0908 | $ 3090.80 |
Package Standard50/Full Tube | ||
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Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Infineon | |
| Imballo | TO-220-3 | |
| Output Capacitance(Coss) | 112pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.35nF | |
| Pd - Power Dissipation | 136W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 250V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 25A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 149pF | |
| RDS(on) | 60mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 29nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Infineon | |
| Imballo | TO-220-3 | |
| Output Capacitance(Coss) | 112pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.35nF | |
| Pd - Power Dissipation | 136W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 250V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Current - Continuous Drain(Id) | 25A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 149pF | |
| RDS(on) | 60mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 29nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Type | N-Channel |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- N-channel, normally-on
- Excellent gate charge × RDS(on) product (figure of merit)
- Ultra-low on-resistance RDS(on)
- Operating temperature up to 175°C
- Lead-free pin plating; RoHS compliant
- JEDEC qualified for target applications
- Halogen-free per IEC61249-2-21
- Suitable for high-frequency switching and synchronous rectification
C6879770 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Tipo alternativo | Imballaggio | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPP60R060P7XKSA1 | Infineon | Simili | TO-220-3 | 64 | $ 3.3096 | ||
| STP42N60M2-EP | ST | Simili | TO-220 | 10 | $ 7.9542 | ||
| CMP30N25 | Cmos | Simili | TO-220 | 47 | $0.4140 $0.4357 | ||
| STP46NF30-JSM | JSMSEMI | Simili | TO-220-3 | 100 | $ 1.7173 | ||
| IRFB4137PBF-JSM | JSMSEMI | Simili | TO-220-3 | 200 | $ 1.2693 |