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TOSHIBA TK6A50D(STA4,Q,M) product image
Immagini a scopo illustrativo

TOSHIBA TK6A50D(STA4,Q,M)

Produttore
TOSHIBA
Cod. Prod.
TK6A50D(STA4,Q,M)
Cod. LCSC
C6553772
Imballo
TO-220SIS
Numero Cliente
Attr. chiave
500V 35W 1.4Ω@10V 1 N-channel TO-220SIS Single FETs, MOSFETs RoHS
Scheda TecnicaTOSHIBA TK6A50D(STA4,Q,M)
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QtàPr. unit.(Solo per riferimento)Importo totale
1+$ 1.2651$ 1.27
200+$ 0.5048$ 100.96
500+$ 0.4889$ 244.45
1,000+$ 0.481$ 481.00
Package Standard50/Full Tube
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$

Specifiche del Prodotto

Tutto
TipoDescrizione
CategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
ProduttoreTOSHIBA
ImballoTO-220SIS
Drain to Source Voltage500V
Current - Continuous Drain(Id)-
Ciss-Input Capacitance540pF
Pd - Power Dissipation35W
RDS(on)1.4Ω@10V
Number1 N-channel
Gate Charge(Qg)11nC@10V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))4.4V
Aiuto & FeedbackMostra prodotti simili (0) >

Caratteristiche

Traduzione AI
  • Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.2 Ω (typ.)
  • High forward transfer admittance: |Yfs| = 2.5 S (typ.)
  • Low leakage current: IDSS = 10 μA (max.) (VDS = 500 V)
  • Enhancement mode: Vth = 2.4 to 4.4 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

Applicazioni

Traduzione AI
  • Switching regulator applications