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Infineon BSP 52 H6327
| Hersteller | |
| Herst.-Teilenr. | BSP 52 H6327 |
| LCSC-Nr. | C534547 |
| Verp. | SOT-223-4 |
| Kundennummer | |
| Hauptmerkm. | 80V 1000 1A NPN SOT-223-4 Single Bipolar Transistors RoHS |
| Datenblatt | Infineon BSP 52 H6327 |
| RoHS-Konformität | 1 Dokumente verfügbar |
| Alternativteile | 5 |
Produktspezifikationen
Alle
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Hersteller | Infineon | |
| Verp. | SOT-223-4 | |
| Vbe Saturation(VBE(sat)) | 1.9V;2.2V | |
| Current - Collector Cutoff | - | |
| Operating Temperature | -65℃~+150℃ | |
| Vbe On(VBE(on)) | - | |
| Transition frequency(fT) | 200MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 80V | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 5V | |
| DC Current Gain | 1000 | |
| Current - Collector(Ic) | 1A | |
| Pd - Power Dissipation | 1.5W | |
| type | NPN | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 1.3V |
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Hersteller | Infineon | |
| Verp. | SOT-223-4 | |
| Vbe Saturation(VBE(sat)) | 1.9V;2.2V | |
| Current - Collector Cutoff | - | |
| Operating Temperature | -65℃~+150℃ | |
| Vbe On(VBE(on)) | - | |
| Transition frequency(fT) | 200MHz |
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 80V | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 5V | |
| DC Current Gain | 1000 | |
| Current - Collector(Ic) | 1A | |
| Pd - Power Dissipation | 1.5W | |
| type | NPN | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 1.3V |
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Merkmale
KI-Übersetzung
- High collector current
- Low collector-emitter saturation voltage
- Complementary type: BSP60 - BSP62 (PNP)
- Lead-free (RoHS compliant) package
- AEC Q101 compliant
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| Stk. | E-Preis(Nur als Referenz) | Gesamtbetrag |
|---|---|---|
| 1+ | $ 0.318 | $ 0.32 |
| 200+ | $ 0.1231 | $ 24.62 |
| 500+ | $ 0.1188 | $ 59.40 |
| 1,000+ | $ 0.1166 | $ 116.60 |
Standardgehäuse1000/Full Reel | ||
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Produktspezifikationen
Alle
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Hersteller | Infineon | |
| Verp. | SOT-223-4 | |
| Vbe Saturation(VBE(sat)) | 1.9V;2.2V | |
| Current - Collector Cutoff | - | |
| Operating Temperature | -65℃~+150℃ | |
| Vbe On(VBE(on)) | - | |
| Transition frequency(fT) | 200MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 80V | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 5V | |
| DC Current Gain | 1000 | |
| Current - Collector(Ic) | 1A | |
| Pd - Power Dissipation | 1.5W | |
| type | NPN | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 1.3V |
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Hersteller | Infineon | |
| Verp. | SOT-223-4 | |
| Vbe Saturation(VBE(sat)) | 1.9V;2.2V | |
| Current - Collector Cutoff | - | |
| Operating Temperature | -65℃~+150℃ | |
| Vbe On(VBE(on)) | - | |
| Transition frequency(fT) | 200MHz |
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 80V | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 5V | |
| DC Current Gain | 1000 | |
| Current - Collector(Ic) | 1A | |
| Pd - Power Dissipation | 1.5W | |
| type | NPN | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 1.3V |
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Merkmale
KI-Übersetzung
- High collector current
- Low collector-emitter saturation voltage
- Complementary type: BSP60 - BSP62 (PNP)
- Lead-free (RoHS compliant) package
- AEC Q101 compliant
C534547 EasyEDA-Bibliothek
Noch nicht gezeichnet
Compliance & Exportcodes
| Typ | Details |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541210000 |
| USHTS | 8541210095 |
| TARIC | 8541210000 |
| CAHTS | 8541210000 |
| BRHTS | 85412199 |
| INHTS | 85412100 |
| MXHTS | 8541.21.01 |
| Typ | Details |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541210000 |
| USHTS | 8541210095 |
| TARIC | 8541210000 |
| Typ | Details |
|---|---|
| CAHTS | 8541210000 |
| BRHTS | 85412199 |
| INHTS | 85412100 |
| MXHTS | 8541.21.01 |
Alternativteile
| MPN | Hersteller | Alternativtyp | Verpackung | Verfügbarkeit | Stückpreis | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSP52,115 | Nexperia | Direkt | SOT-223 | 7,650 | $ 0.3776 | ||
| BSP52T3G | onsemi | Direkt | SOT-223 | 5 | $ 0.148 | ||
| BSP52T1G | onsemi | Direkt | SOT-223 | 2,129 | $ 0.4045 | ||
| SBSP52T1G | onsemi | Direkt | SOT-223-3 | 5 | $ 1.0268 | ||
| FZT7053TA | DIODES | Ähnliche | SOT-223 | 72 | $ 0.8916 |
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