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Infineon FP25R12W2T4_B11 product image
Abbildung ähnlich

Infineon FP25R12W2T4_B11

Hersteller
Infineon
Herst.-Teilenr.
FP25R12W2T4_B11
LCSC-Nr.
C534016
Verp.
-
Kundennummer
Hauptmerkm.
175W 25A 1.2kV FS (Field Stop) IGBT Modules RoHS
DatenblattInfineon FP25R12W2T4_B11
RoHS-Konformität1 Dokumente verfügbar
Garantie auf jede Bestellung
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Stk.E-Preis(Nur als Referenz)Gesamtbetrag
1+$ 83.9005$ 83.90
195+$ 32.4693$ 6331.51
495+$ 31.3284$ 15507.56
1,005+$ 30.7643$ 30918.12
Standardgehäuse15/Full Tray
Besserer Preis bei größerer Menge?
$

Produktspezifikationen

Alle
TypBeschreibung
KategorieDiscrete Semiconductors/Transistors/IGBTs/IGBT Modules
HerstellerInfineon
Verp.-
Td(off)190ns
Pd - Power Dissipation175W
Td(on)26ns
Current - Collector(Ic)25A
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)1.2kV
Reverse Transfer Capacitance (Cres)50pF
IGBT TypeFS (Field Stop)
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)-
Gate Charge(Qg)200nC@15V
Vce Saturation(VCE(sat))-
Reverse Recovery Time(trr)-
Switching Energy(Eoff)1.45mJ
Turn-On Energy (Eon)1.6mJ
Operating Temperature-40℃~+150℃
Input Capacitance(Cies)1.45nF
Output Capacitance(Coes)-
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