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EDA 모델EasyEDA
HXY MOSFET NVTFS4C08NWFTWG-HXY
| 제조업체 | HXY MOSFETAsian Brands |
| 제조사 품번 | NVTFS4C08NWFTWG-HXY |
| LCSC 번호 | C53263370 |
| 포장 | DFN-8L(3x3) |
| 고객 번호 | |
| 주요 제원 | 30V 55A 62.5W 4.7mΩ@10V 1 N-channel N-Channel DFN-8L(3x3) Single FETs, MOSFETs |
| 데이터시트 | HXY MOSFET NVTFS4C08NWFTWG-HXY |
| 대체 부품 | 5 |
제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | HXY MOSFET | |
| 포장 | DFN-8L(3x3) | |
| Configuration | Standalone | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 400pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 55A | |
| Pd - Power Dissipation | 62.5W | |
| RDS(on) | 4.7mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 31.6nC@4.5V | |
| Vgs | ±20V | |
| Type | N-Channel |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | HXY MOSFET | |
| 포장 | DFN-8L(3x3) | |
| Configuration | Standalone | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 400pF |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Current - Continuous Drain(Id) | 55A | |
| Pd - Power Dissipation | 62.5W | |
| RDS(on) | 4.7mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 31.6nC@4.5V | |
| Vgs | ±20V | |
| Type | N-Channel |
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| 수량 | 단가 | 총액 |
|---|---|---|
| 1+ | $ 0.5601$ 0.4481 | $ 0.45 |
| 10+ | $ 0.4481$ 0.3585 | $ 3.59 |
| 30+ | $ 0.401$ 0.3208 | $ 9.62 |
| 100+ | $ 0.3409$ 0.2728 | $ 27.28 |
| 500+ | $ 0.315$ 0.2520 | $ 126.00 |
| 1,000+ | $ 0.2987$ 0.2390 | $ 239.00 |
표준 패키지5000/Full Reel | ||
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제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | HXY MOSFET | |
| 포장 | DFN-8L(3x3) | |
| Configuration | Standalone | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 400pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 55A | |
| Pd - Power Dissipation | 62.5W | |
| RDS(on) | 4.7mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 31.6nC@4.5V | |
| Vgs | ±20V | |
| Type | N-Channel |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | HXY MOSFET | |
| 포장 | DFN-8L(3x3) | |
| Configuration | Standalone | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 400pF |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Current - Continuous Drain(Id) | 55A | |
| Pd - Power Dissipation | 62.5W | |
| RDS(on) | 4.7mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 31.6nC@4.5V | |
| Vgs | ±20V | |
| Type | N-Channel |
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C53263370 EasyEDA 라이브러리
컴플라이언스 & 수출 코드
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
대체 부품
| MPN | 제조사 | 대체 유형 | 포장 | 재고 현황 | 단가 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RQ3E130BNTB-HXY | HXY MOSFET | 유사 제품 | DFN-8L(3x3) | 85 | $0.2631 $0.3288 | ||
| PXN5R4-30QLJ-HXY | HXY MOSFET | 유사 제품 | DFN-8L(3x3) | 98 | $0.4780 $0.5974 | ||
| ISZ056N03LF2SATMA1-HXY | HXY MOSFET | 유사 제품 | DFN-8L(3x3) | 59 | $0.3754 $0.4692 | ||
| IRFHM8329TRPBF-HXY | HXY MOSFET | 유사 제품 | DFN-8L(3x3) | 198 | $0.4316 $0.5395 | ||
| DMT35M4LFVW-13-HXY | HXY MOSFET | 유사 제품 | DFN-8L(3x3) | 90 | $0.2598 $0.3247 |
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