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VISHAY SI8416DB-T2-E1

Produttore
Cod. Prod.
SI8416DB-T2-E1
Cod. LCSC
C511547
Imballo
MicroFoot-6
Numero Cliente
Attr. chiave
2.77W 8V 9.3A 350mV 23mΩ@4.5V 1 N-channel N-Channel MicroFoot-6 Single FETs, MOSFETs RoHS
Scheda TecnicaVISHAY SI8416DB-T2-E1
Conformità RoHS1 documenti disponibili
Parti alternative1
Garanzia su ogni ordine
100% Autentico · Reso o Sostituzione entro 30 Giorni
Esaurito
Avvisami
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
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QtàPr. unit.(Solo per riferimento)Importo totale
1+$ 1.6166$ 1.62
10+$ 1.5938$ 15.94
30+$ 1.5792$ 47.38
100+$ 1.5646$ 156.46
Package Standard3000/Full Reel
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$

Specifiche del Prodotto

Tutto
TipoDescrizione
CategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
ProduttoreVISHAY
ImballoMicroFoot-6
Output Capacitance(Coss)580pF
Pd - Power Dissipation2.77W
Configuration-
Operating Temperature-55℃~+150℃
Drain to Source Voltage8V
Current - Continuous Drain(Id)9.3A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))350mV
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)450pF
RDS(on)23mΩ@4.5V
Number1 N-channel
Input Capacitance(Ciss)1.47nF
Gate Charge(Qg)17nC@4.5V
Vgs±5V
TypeN-Channel

Caratteristiche

Traduzione AI
  • TrenchFET Power MOSFET
  • Ultra-small footprint, maximum dimensions 1.5 mm x 1 mm
  • Ultra-thin profile, maximum height 0.59 mm
  • RoHS compliant
  • Halogen-free

Applicazioni

Traduzione AI
  • Low on-resistance load switch for portable devices
  • Low power consumption, low voltage drop
  • Extended battery life
  • PCB space saving

Parti alternative

MPNProduttoreTipo alternativoImballaggioDisponibilitàPrezzo unitario
CSD13303W1015TISimiliDSBGA-61,000$ 0.1485
1 altri componenti alternativi.Visualizza tutti i sostituti