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EDA-ModelleEasyEDA
ROHM RQ5E030AJTCL
| Hersteller | |
| Herst.-Teilenr. | RQ5E030AJTCL |
| LCSC-Nr. | C509987 |
| Verp. | TSMT3 |
| Kundennummer | |
| Hauptmerkm. | MOSFET N-CH 30V 3A TSMT3 |
| Datenblatt | ROHM RQ5E030AJTCL |
| RoHS-Konformität | 2 Dokumente verfügbar |
| Alternativteile | 5 |
Produktspezifikationen
Alle
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Hersteller | ROHM | |
| Verp. | TSMT3 | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Pd - Power Dissipation | 1W | |
| RDS(on) | 75mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 240pF | |
| Gate Charge(Qg) | 2.1nC@4.5V |
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Hersteller | ROHM | |
| Verp. | TSMT3 | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3A |
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Pd - Power Dissipation | 1W | |
| RDS(on) | 75mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 240pF | |
| Gate Charge(Qg) | 2.1nC@4.5V |
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Merkmale
KI-Übersetzung
- Low on - resistance.
- Small Surface Mount Package.
- Pb-free lead plating ; RoHS compliant
Anwendungen
KI-Übersetzung
- Switching
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| Stk. | E-Preis | Gesamtbetrag |
|---|---|---|
| 5+ | $ 0.1652 | $ 0.83 |
| 50+ | $ 0.1291 | $ 6.46 |
| 150+ | $ 0.1111 | $ 16.67 |
| 500+ | $ 0.0976 | $ 48.80 |
| 3,000+ | $ 0.0868 | $ 260.40 |
| 6,000+ | $ 0.0814 | $ 488.40 |
Standardgehäuse3000/Full Reel | ||
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Produktspezifikationen
Alle
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Hersteller | ROHM | |
| Verp. | TSMT3 | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Pd - Power Dissipation | 1W | |
| RDS(on) | 75mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 240pF | |
| Gate Charge(Qg) | 2.1nC@4.5V |
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Hersteller | ROHM | |
| Verp. | TSMT3 | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3A |
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Pd - Power Dissipation | 1W | |
| RDS(on) | 75mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 240pF | |
| Gate Charge(Qg) | 2.1nC@4.5V |
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Merkmale
KI-Übersetzung
- Low on - resistance.
- Small Surface Mount Package.
- Pb-free lead plating ; RoHS compliant
Anwendungen
KI-Übersetzung
- Switching
C509987 EasyEDA-Bibliothek
Compliance & Exportcodes
| Typ | Details |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Typ | Details |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Typ | Details |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Alternativteile
| MPN | Hersteller | Alternativtyp | Verpackung | Verfügbarkeit | Stückpreis | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| WST2308 | Winsok Semicon | Ähnliche | SOT-23L | 2,980 | $0.0447 $0.0496 | ||
| HL2304 | R+O | Ähnliche | SOT-23 | 45,960 | $ 0.0323 | ||
| Si2306BDS-T1-GE3-HXY | HXY MOSFET | Ähnliche | SOT-23 | 2,850 | $0.0650 $0.0684 | ||
| Si2316BDS-T1-GE3-HXY | HXY MOSFET | Ähnliche | SOT-23 | 10 | $0.0652 $0.0686 | ||
| Si2316DS-T1-E3-HXY | HXY MOSFET | Ähnliche | SOT-23 | 300 | $0.1839 $0.1935 |
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