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Modelli EDAEasyEDA
Nexperia PMV30XPEAR
| Produttore | |
| Cod. Prod. | PMV30XPEAR |
| Cod. LCSC | C458164 |
| Imballo | SOT-23 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | MOSFET P-CH 20V 5.3A SOT-23 |
| Scheda Tecnica | Nexperia PMV30XPEAR |
| Conformità RoHS | 1 documenti disponibili |
| Parti alternative | 5 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Nexperia | |
| Imballo | SOT-23 | |
| Output Capacitance(Coss) | 193pF | |
| Pd - Power Dissipation | 980mW | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5.3A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 133pF | |
| RDS(on) | 34mΩ@4.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.465nF | |
| Gate Charge(Qg) | 17nC@4.5V | |
| Vgs | ±12V | |
| Type | P-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Nexperia | |
| Imballo | SOT-23 | |
| Output Capacitance(Coss) | 193pF | |
| Pd - Power Dissipation | 980mW | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5.3A |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 133pF | |
| RDS(on) | 34mΩ@4.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.465nF | |
| Gate Charge(Qg) | 17nC@4.5V | |
| Vgs | ±12V | |
| Type | P-Channel |
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Descrizione
Traduzione AI
P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Trench MOSFET technology
- Very fast switching
- Enhanced power dissipation capability: Ptot = 980 mW
- ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM
- AEC-Q101 qualified
Applicazioni
Traduzione AI
- Relay driver
- High-speed line driver
- High-side loadswitch
- Switching circuits
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Disponibile: 2,991
2,991 Pronta consegna
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
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| Qtà | Pr. unit. | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 0.5557 | $ 0.56 |
| 10+ | $ 0.4423 | $ 4.42 |
| 30+ | $ 0.3864 | $ 11.59 |
| 100+ | $ 0.3305 | $ 33.05 |
| 500+ | $ 0.2976 | $ 148.80 |
| 1,000+ | $ 0.2779 | $ 277.90 |
Package Standard3000/Full Reel | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
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Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Nexperia | |
| Imballo | SOT-23 | |
| Output Capacitance(Coss) | 193pF | |
| Pd - Power Dissipation | 980mW | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5.3A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 133pF | |
| RDS(on) | 34mΩ@4.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.465nF | |
| Gate Charge(Qg) | 17nC@4.5V | |
| Vgs | ±12V | |
| Type | P-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Nexperia | |
| Imballo | SOT-23 | |
| Output Capacitance(Coss) | 193pF | |
| Pd - Power Dissipation | 980mW | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5.3A |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 133pF | |
| RDS(on) | 34mΩ@4.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.465nF | |
| Gate Charge(Qg) | 17nC@4.5V | |
| Vgs | ±12V | |
| Type | P-Channel |
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Descrizione
Traduzione AI
P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Trench MOSFET technology
- Very fast switching
- Enhanced power dissipation capability: Ptot = 980 mW
- ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM
- AEC-Q101 qualified
Applicazioni
Traduzione AI
- Relay driver
- High-speed line driver
- High-side loadswitch
- Switching circuits
C458164 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Tipo alternativo | Imballaggio | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| WST3325 | Winsok Semicon | Simili | SOT-23-3L | 1,850 | $0.0727 $0.0807 | ||
| PMV30XPEA-HXY | HXY MOSFET | Simili | SOT-23 | 2,675 | $0.0805 $0.0847 | ||
| SP20P35T2 | Siliup | Simili | SOT-23 | 2,140 | $0.0195 $0.0278 | ||
| SSM3J355R,LF | TOSHIBA | Simili | SOT-23F | 2,945 | $ 0.1327 | ||
| WPM6207-3/TR | WILLSEMI | Simili | SOT-23-3 | 1,950 | $ 0.0957 |
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