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JSMSEMI GBU502SF
| Produttore | JSMSEMIAsian Brands |
| Cod. Prod. | GBU502SF |
| Cod. LCSC | C42449149 |
| Imballo | GBU |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | BRIDGE RECT 200V GBU |
| Scheda Tecnica | JSMSEMI GBU502SF |
| Conformità RoHS | 5 documenti disponibili |
| Parti alternative | 5 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Diodes/Bridge Rectifiers | |
| Produttore | JSMSEMI | |
| Imballo | GBU | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 175A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 950mV@5A | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 1uA | |
| Current - Rectified | 5A | |
| Voltage - DC Reverse(Vr) | 200V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Diodes/Bridge Rectifiers | |
| Produttore | JSMSEMI | |
| Imballo | GBU | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 175A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Voltage - Forward(Vf@If) | 950mV@5A | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 1uA | |
| Current - Rectified | 5A | |
| Voltage - DC Reverse(Vr) | 200V |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- Glass passivated chip junction
- Reliable low-cost construction using molded plastic technology
- Suitable for PCB
- Low forward voltage drop
- Low reverse leakage current
- High surge current capability
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100% Autentico · Reso o Sostituzione entro 30 Giorni
Disponibile: 45
45 Pronta consegna
Minimo: 5Multiplo: 5Unità di vendita: Piece
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| Qtà | Pr. unit. | Importo totale |
|---|---|---|
| 5+ | $ 0.3639 | $ 1.82 |
| 50+ | $ 0.29 | $ 14.50 |
| 150+ | $ 0.2584 | $ 38.76 |
| 500+ | $ 0.2189 | $ 109.45 |
| 2,500+ | $ 0.2013 | $ 503.25 |
| 5,000+ | $ 0.1907 | $ 953.50 |
Package Standard500/Full Box | ||
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$
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Diodes/Bridge Rectifiers | |
| Produttore | JSMSEMI | |
| Imballo | GBU | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 175A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 950mV@5A | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 1uA | |
| Current - Rectified | 5A | |
| Voltage - DC Reverse(Vr) | 200V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Diodes/Bridge Rectifiers | |
| Produttore | JSMSEMI | |
| Imballo | GBU | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 175A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Voltage - Forward(Vf@If) | 950mV@5A | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 1uA | |
| Current - Rectified | 5A | |
| Voltage - DC Reverse(Vr) | 200V |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- Glass passivated chip junction
- Reliable low-cost construction using molded plastic technology
- Suitable for PCB
- Low forward voltage drop
- Low reverse leakage current
- High surge current capability
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | - |
| CNHTS | 8504409190 |
| USHTS | 8504409540 |
| TARIC | 8504409590 |
| CAHTS | 8504409099 |
| BRHTS | 85044090 |
| INHTS | 85044090 |
| MXHTS | 8504.40.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | - |
| CNHTS | 8504409190 |
| USHTS | 8504409540 |
| TARIC | 8504409590 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8504409099 |
| BRHTS | 85044090 |
| INHTS | 85044090 |
| MXHTS | 8504.40.99 |