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DIODES DMN67D7L-7
| Produttore | |
| Cod. Prod. | DMN67D7L-7 |
| Cod. LCSC | C2997664 |
| Imballo | SOT-23 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | MOSFET N-CH 60V 210mA SOT-23 |
| Scheda Tecnica | DIODES DMN67D7L-7 |
| Conformità RoHS | 2 documenti disponibili |
| Parti alternative | 5 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | DIODES | |
| Imballo | SOT-23 | |
| Output Capacitance(Coss) | 4.1pF | |
| Pd - Power Dissipation | 570mW | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 210mA | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 2.5pF | |
| RDS(on) | 5Ω@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 22pF | |
| Gate Charge(Qg) | 821pC@10V | |
| Vgs | ±40V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | DIODES | |
| Imballo | SOT-23 | |
| Output Capacitance(Coss) | 4.1pF | |
| Pd - Power Dissipation | 570mW | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 210mA |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 2.5pF | |
| RDS(on) | 5Ω@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 22pF | |
| Gate Charge(Qg) | 821pC@10V | |
| Vgs | ±40V | |
| Type | N-Channel |
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Descrizione
Traduzione AI
This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Low On-Resistance
- Low Gate Threshold Voltage
- Low Input Capacitance
- Fast Switching Speed
- Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant
- Halogen and Antimony Free. “Green” Device
Applicazioni
Traduzione AI
- Motor Control
- Power Management Functions
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Esaurito
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Minimo: 10Multiplo: 10Unità di vendita: Piece
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| Qtà | Pr. unit.(Solo per riferimento) | Importo totale |
|---|---|---|
| 10+ | $ 0.0572 | $ 0.57 |
| 100+ | $ 0.0459 | $ 4.59 |
| 300+ | $ 0.0402 | $ 12.06 |
| 3,000+ | $ 0.0359 | $ 107.70 |
| 6,000+ | $ 0.0325 | $ 195.00 |
| 9,000+ | $ 0.0308 | $ 277.20 |
Package Standard3000/Full Reel | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | DIODES | |
| Imballo | SOT-23 | |
| Output Capacitance(Coss) | 4.1pF | |
| Pd - Power Dissipation | 570mW | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 210mA | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 2.5pF | |
| RDS(on) | 5Ω@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 22pF | |
| Gate Charge(Qg) | 821pC@10V | |
| Vgs | ±40V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | DIODES | |
| Imballo | SOT-23 | |
| Output Capacitance(Coss) | 4.1pF | |
| Pd - Power Dissipation | 570mW | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 210mA |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 2.5pF | |
| RDS(on) | 5Ω@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 22pF | |
| Gate Charge(Qg) | 821pC@10V | |
| Vgs | ±40V | |
| Type | N-Channel |
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Descrizione
Traduzione AI
This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Low On-Resistance
- Low Gate Threshold Voltage
- Low Input Capacitance
- Fast Switching Speed
- Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant
- Halogen and Antimony Free. “Green” Device
Applicazioni
Traduzione AI
- Motor Control
- Power Management Functions
C2997664 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Tipo alternativo | Imballaggio | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN67D8L-7 | DIODES | Simili | SOT-23 | 11,955 | $ 0.1997 | ||
| 2N7002Q-7-F | DIODES | Simili | SOT-23 | 3,920 | $ 0.0896 | ||
| 2N7002H6327 | Infineon | Simili | SOT-23 | 1,070 | $ 0.1293 | ||
| 2N7002E-7-F | DIODES | Simili | SOT-23 | 5,650 | $ 0.1253 | ||
| DMN65D8L-7 | DIODES | Simili | SOT-23 | 4,540 | $ 0.1139 |
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