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Modelli EDAEasyEDA
ETERNAL ET8205A
| Produttore | ETERNALAsian Brands |
| Cod. Prod. | ET8205A |
| Cod. LCSC | C967047 |
| Imballo | TSSOP-8 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | MOSFET N-CH ARR 20V 6A TSSOP-8 |
| Scheda Tecnica | ETERNAL ET8205A |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | ETERNAL | |
| Imballo | TSSOP-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 6A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | - | |
| Pd - Power Dissipation | 2W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 127pF | |
| RDS(on) | 19mΩ@4.5V | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 559pF | |
| Gate Charge(Qg) | 5nC@4.5V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | ETERNAL | |
| Imballo | TSSOP-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 6A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | - |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 2W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 127pF | |
| RDS(on) | 19mΩ@4.5V | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 559pF | |
| Gate Charge(Qg) | 5nC@4.5V |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- Advanced Trench Process Technology
- High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance
- Surface mount Package
- Lead（Pb）-free and halogen-free
Garanzia su ogni ordine
100% Autentico · Reso o Sostituzione entro 30 Giorni
Non disponibile al momento
Minimo: 10Multiplo: 10Unità di vendita: Piece
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | ETERNAL | |
| Imballo | TSSOP-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 6A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | - | |
| Pd - Power Dissipation | 2W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 127pF | |
| RDS(on) | 19mΩ@4.5V | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 559pF | |
| Gate Charge(Qg) | 5nC@4.5V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | ETERNAL | |
| Imballo | TSSOP-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 6A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | - |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 2W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 127pF | |
| RDS(on) | 19mΩ@4.5V | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 559pF | |
| Gate Charge(Qg) | 5nC@4.5V |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- Advanced Trench Process Technology
- High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance
- Surface mount Package
- Lead（Pb）-free and halogen-free
C967047 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |