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EDA 모델EasyEDA
VBsemi Elec FDMS86320-VB
| 제조업체 | VBsemi ElecAsian Brands |
| 제조사 품번 | FDMS86320-VB |
| LCSC 번호 | C7494587 |
| 포장 | DFN5x6-8 |
| 고객 번호 | |
| 주요 제원 | MOSFET N-CH 80V 60A DFN5x6-8 |
| 데이터시트 | VBsemi Elec FDMS86320-VB |
| 대체 부품 | 5 |
제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | VBsemi Elec | |
| 포장 | DFN5x6-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 80V | |
| Output Capacitance(Coss) | 1.1nF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 60A | |
| Pd - Power Dissipation | 104W | |
| RDS(on) | 4.8mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 57nC@10V | |
| Type | N-Channel |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | VBsemi Elec | |
| 포장 | DFN5x6-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 80V | |
| Output Capacitance(Coss) | 1.1nF |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Current - Continuous Drain(Id) | 60A | |
| Pd - Power Dissipation | 104W | |
| RDS(on) | 4.8mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 57nC@10V | |
| Type | N-Channel |
도움말 및 피드백유사 제품 보기 (0) >
주요 특징
AI 번역
- Trench power MOSFET
- 100% Rg and UIS tested
응용 분야
AI 번역
- Primary-side switch
- Synchronous rectification
- DC/AC inverter
모든 주문 보장
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재고 있음: 42
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| 수량 | 단가 | 총액 |
|---|---|---|
| 1+ | $ 1.6243$ 1.3807 | $ 1.38 |
| 10+ | $ 1.3544$ 1.1513 | $ 11.51 |
| 30+ | $ 1.2067$ 1.0257 | $ 30.77 |
| 100+ | $ 1.04$ 0.8840 | $ 88.40 |
| 500+ | $ 0.9654$ 0.8206 | $ 410.30 |
| 1,000+ | $ 0.932$ 0.7922 | $ 792.20 |
표준 패키지5000/Full Reel | ||
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제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | VBsemi Elec | |
| 포장 | DFN5x6-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 80V | |
| Output Capacitance(Coss) | 1.1nF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 60A | |
| Pd - Power Dissipation | 104W | |
| RDS(on) | 4.8mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 57nC@10V | |
| Type | N-Channel |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | VBsemi Elec | |
| 포장 | DFN5x6-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 80V | |
| Output Capacitance(Coss) | 1.1nF |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Current - Continuous Drain(Id) | 60A | |
| Pd - Power Dissipation | 104W | |
| RDS(on) | 4.8mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 57nC@10V | |
| Type | N-Channel |
도움말 및 피드백유사 제품 보기 (0) >
주요 특징
AI 번역
- Trench power MOSFET
- 100% Rg and UIS tested
응용 분야
AI 번역
- Primary-side switch
- Synchronous rectification
- DC/AC inverter
컴플라이언스 & 수출 코드
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
대체 부품
| MPN | 제조사 | 대체 유형 | 포장 | 재고 현황 | 단가 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI7852ADP-VB | VBsemi Elec | 유사 제품 | DFN5x6-8 | 19 | $2.1086 $2.2195 | ||
| AP94T07GMT-HF-VB | VBsemi Elec | 유사 제품 | DFN5x6-8 | 18 | $1.3807 $1.6243 | ||
| 057N08NS3-VB | VBsemi Elec | 유사 제품 | DFN5x6-8 | 20 | $1.3226 $1.556 | ||
| BSC042NE7NS3 G-VB | VBsemi Elec | 유사 제품 | DFN-8(5x6) | 10 | $2.1237 $2.2354 | ||
| SIR880DP-VB | VBsemi Elec | 유사 제품 | DFN5x6-8 | 52 | $2.0035 $2.1089 |
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