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ADI HMC455LP3ETR product image
Abbildung ähnlich

ADI HMC455LP3ETR

Hersteller
ADI
Herst.-Teilenr.
HMC455LP3ETR
LCSC-Nr.
C661905
Verp.
QFN-16-EP(3x3)
Kundennummer
Hauptmerkm.
1.7-2.5 GHz High Linearity RF Amplifier
DatenblattADI HMC455LP3ETR
RoHS-Konformität1 Dokumente verfügbar
Garantie auf jede Bestellung
100% Authentisch · 30-Tage-Rückgabe oder -Umtausch
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500+$ 3.5686$ 1784.30
1,000+$ 3.5037$ 3503.70
Standardgehäuse500/Full Reel
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Produktspezifikationen

Alle
TypBeschreibung
KategorieRF and Wireless/RF Amplifiers
HerstellerADI
Verp.QFN-16-EP(3x3)
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Beschreibung

KI-Übersetzung

The HMC455LP3 & HMC455LP3E are high output IP3 GaAs InGaP Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) ½ watt MMIC amplifiers operating between 1.7 and 2.5 GHz. Utilizing a minimum number of external components the amplifier provides 13 dB of gain and +28 dBm of saturated power at 56% PAE from a single +5 Vdc supply voltage. The high output IP3 of +42 dBm coupled with the low VSWR of 1.4:1 make the HMC455LP3 & HMC455LP3E ideal driver amplifiers for PCS/3G wireless infrastructures. A low cost, leadless 3x3 mm QFN surface mount package (LP3) houses the linear amplifier. The LP3 provides an exposed base for excellent RF and thermal performance.

Merkmale

KI-Übersetzung
  • Output IP3: +42 dBm
  • Gain: 13 dB
  • 56% PAE @ +28 dBm Pout
  • +19 dBm W-CDMA Channel Power @ -45 dBc ACP
  • 3x3 mm QFN SMT Package

Anwendungen

KI-Übersetzung
  • Multi-Carrier Systems
  • GSM, GPRS & EDGE
  • CDMA & WCDMA
  • PHS