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EDA 모델EasyEDA
onsemi 2SA1419S-TD-E
| 제조업체 | |
| 제조사 품번 | 2SA1419S-TD-E |
| LCSC 번호 | C604948 |
| 포장 | SOT-89 |
| 고객 번호 | |
| 주요 제원 | TRANS PNP 160V 1.5A SOT-89 |
| 데이터시트 | onsemi 2SA1419S-TD-E |
| RoHS 준수 | 2개 문서 이용 가능 |
| 대체 부품 | 1 |
제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| 제조업체 | onsemi | |
| 포장 | SOT-89 | |
| Operating Temperature | - | |
| Current - Collector Cutoff | 1uA | |
| Transition frequency(fT) | 120MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 160V | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 6V | |
| DC Current Gain | 100 | |
| Current - Collector(Ic) | 1.5A | |
| Pd - Power Dissipation | 500mW | |
| Number | 1 PNP | |
| type | PNP | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 200mV |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| 제조업체 | onsemi | |
| 포장 | SOT-89 | |
| Operating Temperature | - | |
| Current - Collector Cutoff | 1uA | |
| Transition frequency(fT) | 120MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 160V |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Emitter-Base Voltage VEBO | 6V | |
| DC Current Gain | 100 | |
| Current - Collector(Ic) | 1.5A | |
| Pd - Power Dissipation | 500mW | |
| Number | 1 PNP | |
| type | PNP | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 200mV |
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주요 특징
AI 번역
- Adoption of FBET, MBIT processes
- High breakdown voltage and large current capacity
- Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid IC’s
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| 수량 | 단가(참고용) | 총액 |
|---|---|---|
| 1+ | $ 0.7901 | $ 0.79 |
| 10+ | $ 0.7754 | $ 7.75 |
| 30+ | $ 0.764 | $ 22.92 |
| 100+ | $ 0.7542 | $ 75.42 |
표준 패키지1000/Full Reel | ||
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제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| 제조업체 | onsemi | |
| 포장 | SOT-89 | |
| Operating Temperature | - | |
| Current - Collector Cutoff | 1uA | |
| Transition frequency(fT) | 120MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 160V | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 6V | |
| DC Current Gain | 100 | |
| Current - Collector(Ic) | 1.5A | |
| Pd - Power Dissipation | 500mW | |
| Number | 1 PNP | |
| type | PNP | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 200mV |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| 제조업체 | onsemi | |
| 포장 | SOT-89 | |
| Operating Temperature | - | |
| Current - Collector Cutoff | 1uA | |
| Transition frequency(fT) | 120MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 160V |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Emitter-Base Voltage VEBO | 6V | |
| DC Current Gain | 100 | |
| Current - Collector(Ic) | 1.5A | |
| Pd - Power Dissipation | 500mW | |
| Number | 1 PNP | |
| type | PNP | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 200mV |
도움말 및 피드백유사 제품 보기 (0) >
주요 특징
AI 번역
- Adoption of FBET, MBIT processes
- High breakdown voltage and large current capacity
- Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid IC’s
C604948 EasyEDA 라이브러리
컴플라이언스 & 수출 코드
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541210000 |
| USHTS | 8541210095 |
| TARIC | 8541210000 |
| CAHTS | 8541210000 |
| BRHTS | 85412199 |
| INHTS | 85412100 |
| MXHTS | 8541.21.01 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541210000 |
| USHTS | 8541210095 |
| TARIC | 8541210000 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| CAHTS | 8541210000 |
| BRHTS | 85412199 |
| INHTS | 85412100 |
| MXHTS | 8541.21.01 |
대체 부품
| MPN | 제조사 | 포장 | 재고 현황 | 단가 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SB649AG-C-AB3-R | UTC | SOT-89 | 0 | $ 0.1023 |