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Nexperia PMCXB900UEZ
| Produttore | |
| Cod. Prod. | PMCXB900UEZ |
| Cod. LCSC | C552749 |
| Imballo | DFN1010-6 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | MOSFET N-CH+P-CH ARR 20V 600mA 500mA DFN1010-6 |
| Scheda Tecnica | Nexperia PMCXB900UEZ |
| Conformità RoHS | 2 documenti disponibili |
| Parti alternative | 2 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays | |
| Produttore | Nexperia | |
| Imballo | DFN1010-6 | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 4.2pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 21.3pF | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 5.4pF | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 600mA;500mA | |
| RDS(on) | 620mΩ@4.5V | |
| Pd - Power Dissipation | 265mW | |
| Type | N-Channel + P-Channel | |
| Configuration | - | |
| Number | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 700pC@4.5V | |
| Vgs | ±8V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 950mV |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays | |
| Produttore | Nexperia | |
| Imballo | DFN1010-6 | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 4.2pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 21.3pF | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 5.4pF | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 600mA;500mA |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| RDS(on) | 620mΩ@4.5V | |
| Pd - Power Dissipation | 265mW | |
| Type | N-Channel + P-Channel | |
| Configuration | - | |
| Number | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 700pC@4.5V | |
| Vgs | ±8V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 950mV |
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Descrizione
Traduzione AI
Complementary N/P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Trench MOSFET technology
- Very low threshold voltage for portable applications: VGS(th)=0.7 V
- Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package: 1.1 × 1.0 × 0.37 mm
- ElectroStatic Discharge (ESD) protection >1 kV HBM
Applicazioni
Traduzione AI
- Relay driver
- High-speed line driver
- Level shifter
- Power management in battery-driven portables
Garanzia su ogni ordine
100% Autentico · Reso o Sostituzione entro 30 Giorni
Esaurito
Avvisami
Minimo: 5Multiplo: 5Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
| Qtà | Pr. unit.(Solo per riferimento) | Importo totale |
|---|---|---|
| 5+ | $ 0.3516 | $ 1.76 |
| 50+ | $ 0.2839 | $ 14.20 |
| 150+ | $ 0.2549 | $ 38.24 |
| 500+ | $ 0.2187 | $ 109.35 |
| 2,500+ | $ 0.2026 | $ 506.50 |
| 5,000+ | $ 0.1929 | $ 964.50 |
Package Standard5000/Full Reel | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays | |
| Produttore | Nexperia | |
| Imballo | DFN1010-6 | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 4.2pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 21.3pF | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 5.4pF | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 600mA;500mA | |
| RDS(on) | 620mΩ@4.5V | |
| Pd - Power Dissipation | 265mW | |
| Type | N-Channel + P-Channel | |
| Configuration | - | |
| Number | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 700pC@4.5V | |
| Vgs | ±8V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 950mV |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays | |
| Produttore | Nexperia | |
| Imballo | DFN1010-6 | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 4.2pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 21.3pF | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 5.4pF | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 600mA;500mA |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| RDS(on) | 620mΩ@4.5V | |
| Pd - Power Dissipation | 265mW | |
| Type | N-Channel + P-Channel | |
| Configuration | - | |
| Number | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 700pC@4.5V | |
| Vgs | ±8V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 950mV |
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Descrizione
Traduzione AI
Complementary N/P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Trench MOSFET technology
- Very low threshold voltage for portable applications: VGS(th)=0.7 V
- Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package: 1.1 × 1.0 × 0.37 mm
- ElectroStatic Discharge (ESD) protection >1 kV HBM
Applicazioni
Traduzione AI
- Relay driver
- High-speed line driver
- Level shifter
- Power management in battery-driven portables
C552749 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Tipo alternativo | Imballaggio | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PMCXB900UELZ | Nexperia | Simili | SOT1216 | 4,830 | $ 0.1302 | ||
| PMCXB1000UEZ | Nexperia | Simili | DFN1010-6 | 394 | $ 0.5582 |