VBsemi Elec NVMFD5C466NLWFT1G-VB

Fabricante	VBsemi ElecAsian Brands
N.º de pieza fab.	NVMFD5C466NLWFT1G-VB
Nº LCSC	C55251880
Emb.	DFN-8(5x6)
Número de Cliente
Atrib. clave	2.7W 40V 60A 5.5mΩ@10V 2 N-Channel N-Channel DFN-8(5x6) Single FETs, MOSFETs
Hoja de Datos	VBsemi Elec NVMFD5C466NLWFT1G-VB
Piezas alternativas	2

Especificaciones del Producto

Todo

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
Fabricante	VBsemi Elec
Emb.	DFN-8(5x6)
Output Capacitance(Coss)	217pF
Ciss-Input Capacitance	1nF
Pd - Power Dissipation	2.7W
Configuration	-
Drain to Source Voltage	40V
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Current - Continuous Drain(Id)	60A
Reverse Transfer Capacitance (Crss)	155pF
RDS(on)	5.5mΩ@10V
Number	2 N-Channel
Gate Charge(Qg)	15nC
Vgs	±20V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))	2.5V
Type	N-Channel

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
Fabricante	VBsemi Elec
Emb.	DFN-8(5x6)
Output Capacitance(Coss)	217pF
Ciss-Input Capacitance	1nF
Pd - Power Dissipation	2.7W
Configuration	-
Drain to Source Voltage	40V
Operating Temperature	-55℃~+150℃

Garantía en cada pedido

100% Auténtico · Devolución o Reemplazo en 30 Días

Todo

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
Fabricante	VBsemi Elec
Emb.	DFN-8(5x6)
Output Capacitance(Coss)	217pF
Ciss-Input Capacitance	1nF
Pd - Power Dissipation	2.7W
Configuration	-
Drain to Source Voltage	40V
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Current - Continuous Drain(Id)	60A
Reverse Transfer Capacitance (Crss)	155pF
RDS(on)	5.5mΩ@10V
Number	2 N-Channel
Gate Charge(Qg)	15nC
Vgs	±20V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))	2.5V
Type	N-Channel

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
Fabricante	VBsemi Elec
Emb.	DFN-8(5x6)
Output Capacitance(Coss)	217pF
Ciss-Input Capacitance	1nF
Pd - Power Dissipation	2.7W
Configuration	-
Drain to Source Voltage	40V
Operating Temperature	-55℃~+150℃