Nexperia PDTA115EU,115
| Produttore | |
| Cod. Prod. | PDTA115EU,115 |
| Cod. LCSC | C552053 |
| Imballo | SOT-323-3 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | 50V 80 20mA 200mW PNP 1 PNP Pre-Biased SOT-323-3 Single, Pre-Biased Bipolar Transistors RoHS |
| Scheda Tecnica | Nexperia PDTA115EU,115 |
| Conformità RoHS | 2 documenti disponibili |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors | |
| Produttore | Nexperia | |
| Imballo | SOT-323-3 | |
| Current - Collector Cutoff | 100nA | |
| Transition frequency(fT) | - | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 50V | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 10V | |
| DC Current Gain | 80 | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 150mV | |
| Current - Collector(Ic) | 20mA | |
| Output Voltage(VO(on)) | - | |
| Input Resistor | 100kΩ | |
| Resistor Ratio | 1 | |
| Pd - Power Dissipation | 200mW | |
| Voltage - Input(Max)(VI(off)) | 500mV@100uA,5V | |
| Input Voltage (VI(on)@Ic,Vce) | - | |
| Operating temperature | -65℃~+150℃ | |
| type | PNP | |
| Number | 1 PNP Pre-Biased |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors | |
| Produttore | Nexperia | |
| Imballo | SOT-323-3 | |
| Current - Collector Cutoff | 100nA | |
| Transition frequency(fT) | - | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 50V | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 10V | |
| DC Current Gain | 80 | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 150mV | |
| Current - Collector(Ic) | 20mA |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Output Voltage(VO(on)) | - | |
| Input Resistor | 100kΩ | |
| Resistor Ratio | 1 | |
| Pd - Power Dissipation | 200mW | |
| Voltage - Input(Max)(VI(off)) | 500mV@100uA,5V | |
| Input Voltage (VI(on)@Ic,Vce) | - | |
| Operating temperature | -65℃~+150℃ | |
| type | PNP | |
| Number | 1 PNP Pre-Biased |
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Descrizione
Traduzione AI
PNP resistor-equipped transistor (see “Simplified outline, symbol and pinning” for package details).
Caratteristiche
Traduzione AI
- Built-in bias resistors
- Simplified circuit design
- Reduction of component count
- Reduced pick and place costs
Applicazioni
Traduzione AI
- General purpose switching and amplification
- Inverter and interface circuits
- Circuit driver
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Esaurito
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Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
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| Qtà | Pr. unit.(Solo per riferimento) | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 0.0415 | $ 0.04 |
| 200+ | $ 0.0161 | $ 3.22 |
| 500+ | $ 0.0155 | $ 7.75 |
| 1,000+ | $ 0.0153 | $ 15.30 |
Package Standard3000/Full Reel | ||
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Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors | |
| Produttore | Nexperia | |
| Imballo | SOT-323-3 | |
| Current - Collector Cutoff | 100nA | |
| Transition frequency(fT) | - | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 50V | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 10V | |
| DC Current Gain | 80 | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 150mV | |
| Current - Collector(Ic) | 20mA | |
| Output Voltage(VO(on)) | - | |
| Input Resistor | 100kΩ | |
| Resistor Ratio | 1 | |
| Pd - Power Dissipation | 200mW | |
| Voltage - Input(Max)(VI(off)) | 500mV@100uA,5V | |
| Input Voltage (VI(on)@Ic,Vce) | - | |
| Operating temperature | -65℃~+150℃ | |
| type | PNP | |
| Number | 1 PNP Pre-Biased |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors | |
| Produttore | Nexperia | |
| Imballo | SOT-323-3 | |
| Current - Collector Cutoff | 100nA | |
| Transition frequency(fT) | - | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 50V | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 10V | |
| DC Current Gain | 80 | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 150mV | |
| Current - Collector(Ic) | 20mA |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Output Voltage(VO(on)) | - | |
| Input Resistor | 100kΩ | |
| Resistor Ratio | 1 | |
| Pd - Power Dissipation | 200mW | |
| Voltage - Input(Max)(VI(off)) | 500mV@100uA,5V | |
| Input Voltage (VI(on)@Ic,Vce) | - | |
| Operating temperature | -65℃~+150℃ | |
| type | PNP | |
| Number | 1 PNP Pre-Biased |
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Descrizione
Traduzione AI
PNP resistor-equipped transistor (see “Simplified outline, symbol and pinning” for package details).
Caratteristiche
Traduzione AI
- Built-in bias resistors
- Simplified circuit design
- Reduction of component count
- Reduced pick and place costs
Applicazioni
Traduzione AI
- General purpose switching and amplification
- Inverter and interface circuits
- Circuit driver
C552053 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541600000 |
| USHTS | 8541600080 |
| TARIC | 8541600000 |
| CAHTS | 8541600010 |
| BRHTS | 85416010 |
| INHTS | 85416000 |
| MXHTS | 8541.60.01 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541600000 |
| USHTS | 8541600080 |
| TARIC | 8541600000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541600010 |
| BRHTS | 85416010 |
| INHTS | 85416000 |
| MXHTS | 8541.60.01 |

