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Nexperia NX138BKVL
| Produttore | |
| Cod. Prod. | NX138BKVL |
| Cod. LCSC | C551589 |
| Imballo | TO-236AB |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | 310mW 60V 265mA 1.5V 3.5Ω@10V 1 N-channel N-Channel TO-236AB Single FETs, MOSFETs RoHS |
| Scheda Tecnica | Nexperia NX138BKVL |
| Conformità RoHS | 1 documenti disponibili |
| Parti alternative | 10 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Nexperia | |
| Imballo | TO-236AB | |
| Output Capacitance(Coss) | 3.1pF | |
| Pd - Power Dissipation | 310mW | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 265mA | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 2pF | |
| RDS(on) | 3.5Ω@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 20.2pF | |
| Gate Charge(Qg) | 490pC@30V | |
| Vgs | ±20V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Nexperia | |
| Imballo | TO-236AB | |
| Output Capacitance(Coss) | 3.1pF | |
| Pd - Power Dissipation | 310mW | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 265mA |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 2pF | |
| RDS(on) | 3.5Ω@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 20.2pF | |
| Gate Charge(Qg) | 490pC@30V | |
| Vgs | ±20V | |
| Type | N-Channel |
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Descrizione
Traduzione AI
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Low threshold voltage
- Very fast switching
- Trench MOSFET technology
- ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM
Applicazioni
Traduzione AI
- Relay driver
- High-speed line driver
- Low-side loadswitch Switching circuits
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Disponibile: 10,000
10,000 Pronta consegna
Minimo: 20Multiplo: 20Unità di vendita: Piece
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| Qtà | Pr. unit. | Importo totale |
|---|---|---|
| 20+ | $ 0.0368 | $ 0.74 |
| 200+ | $ 0.0289 | $ 5.78 |
| 600+ | $ 0.025 | $ 15.00 |
| 2,000+ | $ 0.022 | $ 44.00 |
| 10,000+ | $ 0.0196 | $ 196.00 |
| 20,000+ | $ 0.0184 | $ 368.00 |
Package Standard10000/Full Reel | ||
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$
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Nexperia | |
| Imballo | TO-236AB | |
| Output Capacitance(Coss) | 3.1pF | |
| Pd - Power Dissipation | 310mW | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 265mA | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 2pF | |
| RDS(on) | 3.5Ω@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 20.2pF | |
| Gate Charge(Qg) | 490pC@30V | |
| Vgs | ±20V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Nexperia | |
| Imballo | TO-236AB | |
| Output Capacitance(Coss) | 3.1pF | |
| Pd - Power Dissipation | 310mW | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 265mA |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 2pF | |
| RDS(on) | 3.5Ω@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 20.2pF | |
| Gate Charge(Qg) | 490pC@30V | |
| Vgs | ±20V | |
| Type | N-Channel |
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Descrizione
Traduzione AI
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Low threshold voltage
- Very fast switching
- Trench MOSFET technology
- ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM
Applicazioni
Traduzione AI
- Relay driver
- High-speed line driver
- Low-side loadswitch Switching circuits
C551589 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Imballaggio | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| NX138BKR | Nexperia | SOT-23 | 2,960 | $ 0.0431 | ||
| BSN20BK215 | Nexperia | SOT-23(TO-236AB) | 2,966 | $ 0.6004 | ||
| BSN20BKR | Nexperia | SOT-23 | 19,430 | $ 0.0455 | ||
| 2N7002K | FOSAN | SOT-23 | 21,200 | $0.0122 $0.0135 | ||
| NX7002AKVL | Nexperia | SOT-23 | 7,800 | $ 0.0419 | ||
| 2N7002KCQ | YANGJIE | SOT-23 | 7,880 | $ 0.05 | ||
| 2N7002KC | YANGJIE | SOT-23(TO-236) | 7,860 | $ 0.0302 | ||
| LW7002BM | Lewa Micro | SOT-23 | 2,580 | $ 0.023 | ||
| 2N7002K | MDD(Microdiode Semiconductor) | SOT-23 | 2,721,300 | $ 0.0175 | ||
| 2N7002NXBKR | Nexperia | SOT-23 | 0 | $ 0.0262 |