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Nexperia BUK9628-55A,118
| Produttore | |
| Cod. Prod. | BUK9628-55A,118 |
| Cod. LCSC | C549969 |
| Imballo | D2PAK |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | 99W 55V 42A 2V 25mΩ@10V 1 N-channel N-Channel D2PAK Single FETs, MOSFETs RoHS |
| Scheda Tecnica | Nexperia BUK9628-55A,118 |
| Conformità RoHS | 1 documenti disponibili |
| Parti alternative | 10 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Nexperia | |
| Imballo | D2PAK | |
| Output Capacitance(Coss) | 210pF | |
| Pd - Power Dissipation | 99W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 55V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 42A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 140pF | |
| RDS(on) | 25mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.725nF | |
| Gate Charge(Qg) | - | |
| Vgs | ±10V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Nexperia | |
| Imballo | D2PAK | |
| Output Capacitance(Coss) | 210pF | |
| Pd - Power Dissipation | 99W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 55V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 42A |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 140pF | |
| RDS(on) | 25mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.725nF | |
| Gate Charge(Qg) | - | |
| Vgs | ±10V | |
| Type | N-Channel |
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Descrizione
Traduzione AI
Logic level N-channel enhancement mode FET in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the relevant AEC standards for use in automotive critical applications.
Caratteristiche
Traduzione AI
- AEC Q101 compliant
- Low on-resistance, low conduction loss
- Logic-level gate drive compatible
- 175°C rated temperature, suitable for high thermal demand environments
Applicazioni
Traduzione AI
- 12 V and 24 V loads
- Automotive and general-purpose power switching
- Motors, lamps, and solenoids
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Esaurito
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Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
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| Qtà | Pr. unit.(Solo per riferimento) | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 0.2295 | $ 0.23 |
| 10+ | $ 0.1859 | $ 1.86 |
| 30+ | $ 0.1672 | $ 5.02 |
| 100+ | $ 0.1439 | $ 14.39 |
| 500+ | $ 0.1335 | $ 66.75 |
| 800+ | $ 0.1273 | $ 101.84 |
Package Standard800/Full Reel | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
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Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Nexperia | |
| Imballo | D2PAK | |
| Output Capacitance(Coss) | 210pF | |
| Pd - Power Dissipation | 99W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 55V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 42A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 140pF | |
| RDS(on) | 25mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.725nF | |
| Gate Charge(Qg) | - | |
| Vgs | ±10V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Nexperia | |
| Imballo | D2PAK | |
| Output Capacitance(Coss) | 210pF | |
| Pd - Power Dissipation | 99W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 55V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 42A |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 140pF | |
| RDS(on) | 25mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.725nF | |
| Gate Charge(Qg) | - | |
| Vgs | ±10V | |
| Type | N-Channel |
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Descrizione
Traduzione AI
Logic level N-channel enhancement mode FET in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the relevant AEC standards for use in automotive critical applications.
Caratteristiche
Traduzione AI
- AEC Q101 compliant
- Low on-resistance, low conduction loss
- Logic-level gate drive compatible
- 175°C rated temperature, suitable for high thermal demand environments
Applicazioni
Traduzione AI
- 12 V and 24 V loads
- Automotive and general-purpose power switching
- Motors, lamps, and solenoids
C549969 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Imballaggio | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRLZ44NSTRL(UMW) | UMW | TO-263 | 1,440 | $ 0.3305 | ||
| STB55NF06LT4 | ST | D2PAK | 462 | $ 1.7403 | ||
| IRLZ44SPBF | VISHAY | D2PAK(TO-263) | 1 | $ 4.3689 | ||
| FDB86102LZ-VB | VBsemi Elec | TO-263(D2PAK) | 25 | $0.9718 $1.1432 | ||
| IRF3710STRPBF-VB | VBsemi Elec | TO-263(D2PAK) | 19 | $0.9475 $1.1146 | ||
| BUK9624-55A,118 | Nexperia | D2PAK | 0 | $ 0.318 | ||
| BUK7613-60E,118 | Nexperia | D2PAK | 0 | $ 1.7351 | ||
| NDB6060L | onsemi | D2PAK | 0 | $ 0.6811 | ||
| IRFZ44SPBF | VISHAY | D2PAK(TO-263) | 0 | $ 3.1793 | ||
| SUM40N10-30-GE3-VB | VBsemi Elec | TO-263(D2PAK) | 0 | $1.1250 $1.1842 |