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UMW AO6604

Produttore
UMWAsian Brands
Cod. Prod.
AO6604
Cod. LCSC
C5375978
Imballo
SOT-23-6
Numero Cliente
Attr. chiave
MOSFET N-CH+P-CH ARR 20V 3.4A 2.5A SOT-23-6
Scheda TecnicaUMW AO6604
Conformità RoHS2 documenti disponibili
Garanzia su ogni ordine
100% Autentico · Reso o Sostituzione entro 30 Giorni
Disponibile: 5,165
5,165 Pronta consegna
Minimo: 5Multiplo: 5Unità di vendita: Piece
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QtàPr. unit.Importo totale
5+$ 0.094$ 0.47
50+$ 0.0738$ 3.69
150+$ 0.0637$ 9.56
500+$ 0.0562$ 28.10
3,000+$ 0.0501$ 150.30
6,000+$ 0.0471$ 282.60
Package Standard3000/Full Reel
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$

Specifiche del Prodotto

Tutto
TipoDescrizione
CategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
ProduttoreUMW
ImballoSOT-23-6
Drain to Source Voltage20V;20V
Operating Temperature-55℃~+150℃
Output Capacitance(Coss)48pF;80pF
Current - Continuous Drain(Id)3.4A;2.5A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))700mV;650mV
Pd - Power Dissipation1.1W
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)27pF;70pF
RDS(on)51mΩ@4.5V;56mΩ@4.5V
Input Capacitance(Ciss)260pF;560pF
Gate Charge(Qg)2.9nC@4.5V;8.5nC@4.5V
TypeN-Channel + P-Channel
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Descrizione

Traduzione AI

AO6604 combines advanced trench MOSFET technology with a low-resistance package to deliver extremely low RDS(ON). The device is ideal for load switching and battery protection applications.

Caratteristiche

Traduzione AI
  • N-Channel:
    • VDS(V) = 20 V
    • RDS(ON) < 65 mΩ (VGS = 10 V)
    • RDS(ON) < 75 mΩ (VGS = 4.5 V)
    • RDS(ON) < 100 mΩ (VGS = 1.8 V)
  • P-Channel:
    • VDS(V) = -20 V
    • RDS(ON) < 75 mΩ (VGS = -4.5 V)
    • RDS(ON) < 95 mΩ (VGS = -2.5 V)
    • RDS(ON) < 115 mΩ (VGS = -1.8 V)

Applicazioni

Traduzione AI
  • Load switch
  • Battery protection