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HUASHUO HSM4435
| Produttore | HUASHUOAsian Brands |
| Cod. Prod. | HSM4435 |
| Cod. LCSC | C508460 |
| Imballo | SOP-8 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | MOSFET P-CH 30V 9.5A SOP-8 |
| Scheda Tecnica | HUASHUO HSM4435 |
| Conformità RoHS | 1 documenti disponibili |
| Parti alternative | 5 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | HUASHUO | |
| Imballo | SOP-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 9.5A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Pd - Power Dissipation | 3.1W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 158pF | |
| RDS(on) | 18mΩ@10V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.345nF | |
| Gate Charge(Qg) | 12.6nC@4.5V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | HUASHUO | |
| Imballo | SOP-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 9.5A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 3.1W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 158pF | |
| RDS(on) | 18mΩ@10V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.345nF | |
| Gate Charge(Qg) | 12.6nC@4.5V |
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Descrizione
Traduzione AI
HSM4435 is a high cell density trench P-channel MOSFET offering excellent on-resistance (R<sub>DS(ON)</sub>) and gate charge for most synchronous buck converter applications. HSM4435 complies with RoHS and green product requirements, is 100% guaranteed avalanche-rated (EAS), and has passed full-function reliability qualification.
Caratteristiche
Traduzione AI
- 100% guaranteed avalanche capability (EAS)
- Green/eco-friendly devices available
- Ultra-low gate charge
- Excellent CdV/dt immunity
- Advanced high cell density trench technology
Garanzia su ogni ordine
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Disponibile: 1,705
1,705 Pronta consegna
Minimo: 5Multiplo: 5Unità di vendita: Piece
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| Qtà | Pr. unit. | Importo totale |
|---|---|---|
| 5+ | $ 0.1173 | $ 0.59 |
| 50+ | $ 0.0941 | $ 4.71 |
| 150+ | $ 0.0826 | $ 12.39 |
| 500+ | $ 0.0739 | $ 36.95 |
| 2,500+ | $ 0.0603 | $ 150.75 |
| 4,000+ | $ 0.0568 | $ 227.20 |
Package Standard4000/Full Reel | ||
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$
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | HUASHUO | |
| Imballo | SOP-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 9.5A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Pd - Power Dissipation | 3.1W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 158pF | |
| RDS(on) | 18mΩ@10V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.345nF | |
| Gate Charge(Qg) | 12.6nC@4.5V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | HUASHUO | |
| Imballo | SOP-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 9.5A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 3.1W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 158pF | |
| RDS(on) | 18mΩ@10V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.345nF | |
| Gate Charge(Qg) | 12.6nC@4.5V |
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Descrizione
Traduzione AI
HSM4435 is a high cell density trench P-channel MOSFET offering excellent on-resistance (R<sub>DS(ON)</sub>) and gate charge for most synchronous buck converter applications. HSM4435 complies with RoHS and green product requirements, is 100% guaranteed avalanche-rated (EAS), and has passed full-function reliability qualification.
Caratteristiche
Traduzione AI
- 100% guaranteed avalanche capability (EAS)
- Green/eco-friendly devices available
- Ultra-low gate charge
- Excellent CdV/dt immunity
- Advanced high cell density trench technology
C508460 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Tipo alternativo | Imballaggio | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HSM4435 | HUASHUO | Simili | SOP-8 | 55 | $ 0.1225 | ||
| HSM4407 | HUASHUO | Simili | SOP-8 | 1,975 | $ 0.1133 | ||
| HSM4435A | HUASHUO | Simili | SOP-8 | 9,580 | $ 0.0801 | ||
| HSM3031 | HUASHUO | Simili | SOP-8 | 20 | $ 0.3064 | ||
| HSM6133 | HUASHUO | Simili | SOP-8 | 195 | $ 0.3562 |
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