12% OFF
- Rozmieszczenie wyprowadzeń
- Footprint
Zdjęcia poglądowe
Modele EDAEasyEDA
HXY MOSFET HIDH04G65C6XKSA1
| Producent | HXY MOSFETAsian Brands |
| Nr części prod. | HIDH04G65C6XKSA1 |
| Nr LCSC | C42389299 |
| Opak. | TO-220H-2L |
| Numer Klienta | |
| Klucz. cechy | Silicon Carbide Schottky Diode |
| Karta Katalogowa | HXY MOSFET HIDH04G65C6XKSA1 |
| Części alternatywne | 5 |
Specyfikacje Produktu
Wszystko
| Typ | Opis | |
|---|---|---|
| Kategoria | Discrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Single Diodes | |
| Producent | HXY MOSFET | |
| Opak. | TO-220H-2L | |
| Diode Configuration | 1 Independent | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.5V@4A | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 50uA@650V | |
| Current - Rectified | 14A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 36A |
| Typ | Opis | |
|---|---|---|
| Kategoria | Discrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Single Diodes | |
| Producent | HXY MOSFET | |
| Opak. | TO-220H-2L | |
| Diode Configuration | 1 Independent | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
| Typ | Opis | |
|---|---|---|
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.5V@4A | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 50uA@650V | |
| Current - Rectified | 14A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 36A |
Pomoc i opiniePokaż podobne produkty (0) >
Funkcje
Tłumaczenie AI
- Low conduction loss due to low V<sub>F</sub>
- Ultra-low switching loss via minimal Q<sub>C</sub>
- High robustness due to superior surge current capability
- Industry-standard quality and reliability
Zastosowania
Tłumaczenie AI
- Uninterruptible power supplies
- Power inverters
- High-performance switching power supplies
- Power factor correction
Gwarancja na każde zamówienie
100% Oryginalne · Zwrot lub Wymiana w ciągu 30 Dni
Na stanie: 12
12 W magazynie, wysyłka natychmiastowa
Minimum: 1Wielokrotność: 1Jednostka sprzedaży: Piece
Dodaj do Listy BOM
| Szt. | Cena jedn. | Suma całkowita |
|---|---|---|
| 1+ | $ 0.898$ 0.7903 | $ 0.79 |
| 10+ | $ 0.7235$ 0.6367 | $ 6.37 |
| 50+ | $ 0.6363$ 0.5600 | $ 28.00 |
| 100+ | $ 0.549$ 0.4832 | $ 48.32 |
| 500+ | $ 0.4982$ 0.4385 | $ 219.25 |
| 1,000+ | $ 0.4713$ 0.4148 | $ 414.80 |
Standardowa Obudowa50/Full Tube | ||
Lepsza cena za większą ilość?
$
Specyfikacje Produktu
Wszystko
| Typ | Opis | |
|---|---|---|
| Kategoria | Discrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Single Diodes | |
| Producent | HXY MOSFET | |
| Opak. | TO-220H-2L | |
| Diode Configuration | 1 Independent | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.5V@4A | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 50uA@650V | |
| Current - Rectified | 14A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 36A |
| Typ | Opis | |
|---|---|---|
| Kategoria | Discrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Single Diodes | |
| Producent | HXY MOSFET | |
| Opak. | TO-220H-2L | |
| Diode Configuration | 1 Independent | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
| Typ | Opis | |
|---|---|---|
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.5V@4A | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 50uA@650V | |
| Current - Rectified | 14A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 36A |
Pomoc i opiniePokaż podobne produkty (0) >
Funkcje
Tłumaczenie AI
- Low conduction loss due to low V<sub>F</sub>
- Ultra-low switching loss via minimal Q<sub>C</sub>
- High robustness due to superior surge current capability
- Industry-standard quality and reliability
Zastosowania
Tłumaczenie AI
- Uninterruptible power supplies
- Power inverters
- High-performance switching power supplies
- Power factor correction
Zgodność & Kody Eksportowe
| Typ | Szczegóły |
|---|---|
| ECCN | - |
| CNHTS | |
| USHTS | |
| TARIC | |
| CAHTS | |
| BRHTS | |
| INHTS | |
| MXHTS |
| Typ | Szczegóły |
|---|---|
| ECCN | - |
| CNHTS | |
| USHTS | |
| TARIC |
| Typ | Szczegóły |
|---|---|
| CAHTS | |
| BRHTS | |
| INHTS | |
| MXHTS |
Części alternatywne
| MPN | Producent | Typ alternatywny | Opakowanie | Dostępność | Cena jednostkowa | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HSTPSC4H065D | HXY MOSFET | Podobne | TO-220H-2L | 36 | $0.7926 $0.8615 | ||
| HSTPSC6H065D | HXY MOSFET | Podobne | TO-220H-2L | 18 | $0.9802 $1.1138 | ||
| DSC08C065FP-HXY | HXY MOSFET | Podobne | TO-220F-2L | 24 | $1.3011 $1.6263 | ||
| SCS308AMC7G-HXY | HXY MOSFET | Podobne | TO-220F-2L | 21 | $2.4050 $3.0062 | ||
| C3D03060F-HXY | HXY MOSFET | Podobne | TO-220F-2L | 7 | $1.1895 $1.2521 |
5 więcej części alternatywnych.Wyświetl wszystkie zamienniki