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ElecSuper BSS84DW(ES)

Produttore
ElecSuperAsian Brands
Cod. Prod.
BSS84DW(ES)
Cod. LCSC
C42379946
Imballo
SOT-363
Numero Cliente
Attr. chiave
MOSFET P-CH 60V 160mA SOT-363
Scheda TecnicaElecSuper BSS84DW(ES)
Conformità RoHS1 documenti disponibili
Garanzia su ogni ordine
100% Autentico · Reso o Sostituzione entro 30 Giorni
Disponibile: 2,980
2,980 Pronta consegna
Minimo: 20Multiplo: 20Unità di vendita: Piece
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QtàPr. unit.Importo totale
20+$ 0.0397$ 0.79
200+$ 0.0319$ 6.38
600+$ 0.0279$ 16.74
3,000+$ 0.025$ 75.00
9,000+$ 0.0226$ 203.40
21,000+$ 0.0214$ 449.40
Package Standard3000/Full Reel
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$

Specifiche del Prodotto

Tutto
TipoDescrizione
CategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
ProduttoreElecSuper
ImballoSOT-363
Operating Temperature-55℃~+150℃
Drain to Source Voltage60V
Output Capacitance(Coss)4pF
Current - Continuous Drain(Id)160mA
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))1.6V
Pd - Power Dissipation230mW
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)1.6pF
RDS(on)3.5Ω@10V;4.5Ω@4.5V
Input Capacitance(Ciss)17pF
Gate Charge(Qg)1.1nC@10V
TypeP-Channel
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Descrizione

Traduzione AI

BSS84DW(ES) is a P-channel enhancement-mode MOSFET. Utilizing advanced trench technology and design, it delivers excellent on-resistance RDS(ON) with low gate charge. The device is suitable for DC-DC conversion, power switching, and charging circuits. The standard product BSS84DW(ES) is lead-free.

Caratteristiche

Traduzione AI
  • -60V, R<sub>DS(ON)</sub>=3.5Ω (typical), V<sub>GS</sub>=-10V
  • R<sub>DS(ON)</sub>=4.5Ω (typical), V<sub>GS</sub>=-4.5V
  • Fast switching
  • High-density cell design for low on-resistance R<sub>DS(on)</sub>
  • Material: Halogen-free
  • Robust and reliable
  • Avalanche rated
  • Low leakage current

Applicazioni

Traduzione AI
  • PWM applications
  • Load switching
  • Power management for portable/desktop PCs
  • DC/DC conversion