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VBsemi Elec HFD630-VB
| Produttore | VBsemi ElecAsian Brands |
| Cod. Prod. | HFD630-VB |
| Cod. LCSC | C41370265 |
| Imballo | TO-252 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | 200V 10A 3W 245mΩ@10V 1 N-channel N-Channel TO-252 Single FETs, MOSFETs |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec HFD630-VB |
| Parti alternative | 5 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VBsemi Elec | |
| Imballo | TO-252 | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Output Capacitance(Coss) | 180pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.8nF | |
| Pd - Power Dissipation | 3W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 80pF | |
| RDS(on) | 245mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 51nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VBsemi Elec | |
| Imballo | TO-252 | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Output Capacitance(Coss) | 180pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.8nF |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 3W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 80pF | |
| RDS(on) | 245mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 51nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Type | N-Channel |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- Trench power MOSFET
- 175°C junction temperature
- PWM optimized
- 100% gate resistance (Rg) tested
- RoHS compliant (Directive 2002/95/EC)
Applicazioni
Traduzione AI
- Primary-side switch
Garanzia su ogni ordine
100% Autentico · Reso o Sostituzione entro 30 Giorni
Esaurito
Avvisami
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
| Qtà | Pr. unit.(Solo per riferimento) | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 0.9299 | $ 0.93 |
| 200+ | $ 0.372 | $ 74.40 |
| 500+ | $ 0.3593 | $ 179.65 |
| 1,000+ | $ 0.3529 | $ 352.90 |
Package Standard2500/Full Reel | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VBsemi Elec | |
| Imballo | TO-252 | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Output Capacitance(Coss) | 180pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.8nF | |
| Pd - Power Dissipation | 3W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 80pF | |
| RDS(on) | 245mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 51nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VBsemi Elec | |
| Imballo | TO-252 | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Output Capacitance(Coss) | 180pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.8nF |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 3W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 80pF | |
| RDS(on) | 245mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 51nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Type | N-Channel |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- Trench power MOSFET
- 175°C junction temperature
- PWM optimized
- 100% gate resistance (Rg) tested
- RoHS compliant (Directive 2002/95/EC)
Applicazioni
Traduzione AI
- Primary-side switch
C41370265 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Tipo alternativo | Imballaggio | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PHD9NQ20T-VB | VBsemi Elec | Simili | TO-252 | 43 | $0.5952 $0.7002 | ||
| UF630L-TN3-R-VB | VBsemi Elec | Simili | TO-252 | 49 | $0.5952 $0.7002 | ||
| PHF9NQ20T-VB | VBsemi Elec | Simili | TO-252 | 20 | $0.5952 $0.7002 | ||
| AOD450-VB | VBsemi Elec | Simili | TO-252 | 10 | $0.5723 $0.6732 | ||
| IRFR220NTRPBF-VB | VBsemi Elec | Simili | TO-252 | 122 | $0.5871 $0.6907 |