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Nexperia NXV55UNR

Produttore
Cod. Prod.
NXV55UNR
Cod. LCSC
C3290637
Imballo
SOT-23
Numero Cliente
Attr. chiave
MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT-23
Scheda TecnicaNexperia NXV55UNR
Conformità RoHS1 documenti disponibili
Parti alternative5
Garanzia su ogni ordine
100% Autentico · Reso o Sostituzione entro 30 Giorni
Esaurito
Avvisami
Minimo: 5Multiplo: 5Unità di vendita: Piece
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QtàPr. unit.(Solo per riferimento)Importo totale
5+$ 0.2238$ 1.12
50+$ 0.2205$ 11.03
150+$ 0.2182$ 32.73
500+$ 0.209$ 104.50
Package Standard3000/Full Reel
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$

Specifiche del Prodotto

Tutto
TipoDescrizione
CategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
ProduttoreNexperia
ImballoSOT-23
Drain to Source Voltage30V
Operating Temperature-55℃~+150℃
Output Capacitance(Coss)36pF
Current - Continuous Drain(Id)1.9A
Ciss-Input Capacitance352pF
Pd - Power Dissipation480mW
Reverse Transfer Capacitance (Crss)31pF
RDS(on)66mΩ@4.5V
Number1 N-channel
Gate Charge(Qg)8.7nC@4.5V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))900mV
TypeN-Channel

Descrizione

Traduzione AI

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

Caratteristiche

Traduzione AI
  • Low threshold voltage
  • Very fast switching
  • Trench MOSFET technology

Applicazioni

Traduzione AI
  • Relay driver
  • High-speed line driver
  • Low-side load switch
  • Switching circuits

Parti alternative

MPNProduttoreTipo alternativoImballaggioDisponibilitàPrezzo unitario
AO3402TECH PUBLICSimiliSOT-23640$0.0344 $0.0362
YJL03N06CYANGJIESimiliSOT-23(TO-236)10,340$ 0.0508
FDN337N(UMW)UMWSimiliSOT-23700$ 0.0405
3401AJ-TDTDSEMICSimiliSOT-2320$ 0.0484
NTR4503NT1GTokmasSimiliSOT-23-31,250$ 0.1209