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Modelli EDAEasyEDA
ST STP80N240K6
| Produttore | |
| Cod. Prod. | STP80N240K6 |
| Cod. LCSC | C3290209 |
| Imballo | TO-220 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | MOSFET N-CH 800V 16A TO-220 |
| Scheda Tecnica | ST STP80N240K6 |
| Conformità RoHS | 3 documenti disponibili |
| Parti alternative | 5 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | ST | |
| Imballo | TO-220 | |
| Output Capacitance(Coss) | 20pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.35nF | |
| Pd - Power Dissipation | 140W | |
| Configuration | - | |
| Drain to Source Voltage | 800V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 16A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 139pF | |
| RDS(on) | 220mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 25.9nC@10V | |
| Vgs | ±30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | ST | |
| Imballo | TO-220 | |
| Output Capacitance(Coss) | 20pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.35nF | |
| Pd - Power Dissipation | 140W | |
| Configuration | - | |
| Drain to Source Voltage | 800V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Current - Continuous Drain(Id) | 16A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 139pF | |
| RDS(on) | 220mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 25.9nC@10V | |
| Vgs | ±30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Type | N-Channel |
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Descrizione
Traduzione AI
This ultra-high voltage N-channel power MOSFET is designed with advanced MDmesh K6 technology. The result is best-in-class on-resistance per unit area and gate charge, delivering superior power density and high efficiency in demanding applications.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Optimal on-resistance area product
- Best-in-class figure of merit (FOM)
- Ultra-low gate charge
- 100% avalanche tested
- Zener protection
Applicazioni
Traduzione AI
- Flyback converter
- Tablet, laptop, and all-in-one adapter
- LED lighting
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100% Autentico · Reso o Sostituzione entro 30 Giorni
Disponibile: 11
11 Pronta consegna
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
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| Qtà | Pr. unit. | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 3.5038 | $ 3.50 |
| 10+ | $ 3.4301 | $ 34.30 |
| 50+ | $ 3.045 | $ 152.25 |
| 100+ | $ 2.9958 | $ 299.58 |
Package Standard50/Full Tube | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | ST | |
| Imballo | TO-220 | |
| Output Capacitance(Coss) | 20pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.35nF | |
| Pd - Power Dissipation | 140W | |
| Configuration | - | |
| Drain to Source Voltage | 800V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 16A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 139pF | |
| RDS(on) | 220mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 25.9nC@10V | |
| Vgs | ±30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | ST | |
| Imballo | TO-220 | |
| Output Capacitance(Coss) | 20pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.35nF | |
| Pd - Power Dissipation | 140W | |
| Configuration | - | |
| Drain to Source Voltage | 800V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Current - Continuous Drain(Id) | 16A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 139pF | |
| RDS(on) | 220mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 25.9nC@10V | |
| Vgs | ±30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Type | N-Channel |
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Descrizione
Traduzione AI
This ultra-high voltage N-channel power MOSFET is designed with advanced MDmesh K6 technology. The result is best-in-class on-resistance per unit area and gate charge, delivering superior power density and high efficiency in demanding applications.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Optimal on-resistance area product
- Best-in-class figure of merit (FOM)
- Ultra-low gate charge
- 100% avalanche tested
- Zener protection
Applicazioni
Traduzione AI
- Flyback converter
- Tablet, laptop, and all-in-one adapter
- LED lighting
C3290209 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Tipo alternativo | Imballaggio | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPP80R280P7 | Infineon | Simili | TO-220-3 | 1 | $ 3.2249 | ||
| STP21N90K5 | ST | Simili | TO-220 | 930 | $ 3.7563 | ||
| SPP17N80C3XKSA1 | Infineon | Simili | TO-220-3 | 6 | $3.7575 $10.4374 | ||
| SPP17N80C3 | Infineon | Simili | TO-220 | 83 | $ 1.6061 | ||
| STF25N80K5 | ST | Simili | TO-220-3 | 3 | $ 9.3091 |