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실제 제품과 다를 수 있음

ST STH150N10F7-2

제조업체
제조사 품번
STH150N10F7-2
LCSC 번호
C2970664
포장
H2PAK-2
고객 번호
주요 제원
MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-2
데이터시트ST STH150N10F7-2
RoHS 준수3개 문서 이용 가능
대체 부품5
모든 주문 보장
100% 정품 · 30일 반품 또는 교환
품절
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최소값: 1배수: 1판매 단위: Piece
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수량단가(참고용)총액
1+$ 4.3069$ 4.31
10+$ 4.2354$ 42.35
30+$ 4.1883$ 125.65
100+$ 4.1412$ 414.12
표준 패키지1000/Full Reel
수량이 많을수록 더 좋은 가격?
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제품 사양

전체
타입설명
카테고리Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
제조업체ST
포장H2PAK-2
Operating Temperature-55℃~+175℃
Drain to Source Voltage100V
Output Capacitance(Coss)1.51nF
Current - Continuous Drain(Id)110A
Pd - Power Dissipation250W
RDS(on)3.9mΩ@10V
Number1 N-channel
Gate Charge(Qg)117nC@10V
TypeN-Channel
도움말 및 피드백유사 제품 보기 (0) >

개요

AI 번역

This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low onstate resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.

주요 특징

AI 번역
  • One of the lowest RDS(ON) on the market
  • Excellent figure of merit (FoM)
  • Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
  • High avalanche ruggedness

응용 분야

AI 번역
  • Switching applications

대체 부품

MPN제조사대체 유형포장재고 현황단가
STH180N10F3-2ST유사 제품H2PAK-22$ 4.0005
STH240N10F7-2ST유사 제품H2PAK-2370$ 1.3536
STH315N10F7-2ST유사 제품H2PAK-215$ 17.8212
STH200N10WF7-2ST유사 제품H2PAK-20$ 24.8747
STH310N10F7-2ST유사 제품H2PAK-20$ 8.8835
5 개의 추가 대체 부품이 있습니다.모든 대체품 보기