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Nexperia PIMN31,115
| Produttore | |
| Cod. Prod. | PIMN31,115 |
| Cod. LCSC | C282558 |
| Imballo | SOT-457 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | TRANS PREBIAS NPN 50V SOT-457 |
| Scheda Tecnica | Nexperia PIMN31,115 |
| Conformità RoHS | 2 documenti disponibili |
| Parti alternative | 1 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased | |
| Produttore | Nexperia | |
| Imballo | SOT-457 | |
| Current - Collector Cutoff | 100nA | |
| Transition frequency(fT) | - | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 5V | |
| DC Current Gain | 70 | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 300mV | |
| Operating Temperature | -65℃~+150℃ | |
| Output Voltage(VO(on)) | - | |
| Input Resistor | 1.3kΩ | |
| Resistor Ratio | 11 | |
| Pd - Power Dissipation | 420mW | |
| Voltage - Input(Max)(VI(off)) | 600mV | |
| Input Voltage (VI(on)@Ic,Vce) | 1.4V@20mA,300mV | |
| Current - Collector(Ic) | 500mA | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 50V | |
| type | NPN | |
| Number | 2 NPN (Pre-Biased) |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased | |
| Produttore | Nexperia | |
| Imballo | SOT-457 | |
| Current - Collector Cutoff | 100nA | |
| Transition frequency(fT) | - | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 5V | |
| DC Current Gain | 70 | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 300mV | |
| Operating Temperature | -65℃~+150℃ | |
| Output Voltage(VO(on)) | - |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Input Resistor | 1.3kΩ | |
| Resistor Ratio | 11 | |
| Pd - Power Dissipation | 420mW | |
| Voltage - Input(Max)(VI(off)) | 600mV | |
| Input Voltage (VI(on)@Ic,Vce) | 1.4V@20mA,300mV | |
| Current - Collector(Ic) | 500mA | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 50V | |
| type | NPN | |
| Number | 2 NPN (Pre-Biased) |
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Descrizione
Traduzione AI
500 mA, 50 V NPN/NPN double Resistor-Equipped Transistor (RET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
Caratteristiche
Traduzione AI
- 500 mA output current capability
- Built-in bias resistors
- Simplifies circuit design
- Reduces component count
- Reduces pick and place costs
- AEC-Q101 qualified
Applicazioni
Traduzione AI
- Digital application in automotive and industrial segments
- Switching loads
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100% Autentico · Reso o Sostituzione entro 30 Giorni
Disponibile: 3,094
3,094 Pronta consegna
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
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| Qtà | Pr. unit. | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 0.4564 | $ 0.46 |
| 10+ | $ 0.3579 | $ 3.58 |
| 30+ | $ 0.3152 | $ 9.46 |
| 100+ | $ 0.2627 | $ 26.27 |
| 500+ | $ 0.2397 | $ 119.85 |
| 1,000+ | $ 0.225 | $ 225.00 |
Package Standard3000/Full Reel | ||
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$
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased | |
| Produttore | Nexperia | |
| Imballo | SOT-457 | |
| Current - Collector Cutoff | 100nA | |
| Transition frequency(fT) | - | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 5V | |
| DC Current Gain | 70 | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 300mV | |
| Operating Temperature | -65℃~+150℃ | |
| Output Voltage(VO(on)) | - | |
| Input Resistor | 1.3kΩ | |
| Resistor Ratio | 11 | |
| Pd - Power Dissipation | 420mW | |
| Voltage - Input(Max)(VI(off)) | 600mV | |
| Input Voltage (VI(on)@Ic,Vce) | 1.4V@20mA,300mV | |
| Current - Collector(Ic) | 500mA | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 50V | |
| type | NPN | |
| Number | 2 NPN (Pre-Biased) |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased | |
| Produttore | Nexperia | |
| Imballo | SOT-457 | |
| Current - Collector Cutoff | 100nA | |
| Transition frequency(fT) | - | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 5V | |
| DC Current Gain | 70 | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 300mV | |
| Operating Temperature | -65℃~+150℃ | |
| Output Voltage(VO(on)) | - |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Input Resistor | 1.3kΩ | |
| Resistor Ratio | 11 | |
| Pd - Power Dissipation | 420mW | |
| Voltage - Input(Max)(VI(off)) | 600mV | |
| Input Voltage (VI(on)@Ic,Vce) | 1.4V@20mA,300mV | |
| Current - Collector(Ic) | 500mA | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 50V | |
| type | NPN | |
| Number | 2 NPN (Pre-Biased) |
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Descrizione
Traduzione AI
500 mA, 50 V NPN/NPN double Resistor-Equipped Transistor (RET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
Caratteristiche
Traduzione AI
- 500 mA output current capability
- Built-in bias resistors
- Simplifies circuit design
- Reduces component count
- Reduces pick and place costs
- AEC-Q101 qualified
Applicazioni
Traduzione AI
- Digital application in automotive and industrial segments
- Switching loads
C282558 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541600000 |
| USHTS | 8541600080 |
| TARIC | 8541600000 |
| CAHTS | 8541600010 |
| BRHTS | 85416010 |
| INHTS | 85416000 |
| MXHTS | 8541.60.01 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541600000 |
| USHTS | 8541600080 |
| TARIC | 8541600000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541600010 |
| BRHTS | 85416010 |
| INHTS | 85416000 |
| MXHTS | 8541.60.01 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Tipo alternativo | Imballaggio | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PIMN32X | Nexperia | Simili | TSOP-6 | 0 | $ 0.2328 |
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