- Pinout
- Footprint
Immagini a scopo illustrativo
Modelli EDAEasyEDA
onsemi NTJS3151PT2G
| Produttore | |
| Cod. Prod. | NTJS3151PT2G |
| Cod. LCSC | C236242 |
| Imballo | SC-88-6 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | P-Channel MOSFET, Current:3.3A, Voltage:12V |
| Scheda Tecnica | onsemi NTJS3151PT2G |
| Conformità RoHS | 3 documenti disponibili |
| Parti alternative | 5 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | onsemi | |
| Imballo | SC-88-6 | |
| Configuration | - | |
| Drain to Source Voltage | 12V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 170pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3.3A | |
| Pd - Power Dissipation | 625mW | |
| RDS(on) | 60mΩ@4.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 8.6nC@4.5V | |
| Vgs | ±12V | |
| Type | P-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | onsemi | |
| Imballo | SC-88-6 | |
| Configuration | - | |
| Drain to Source Voltage | 12V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 170pF |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Current - Continuous Drain(Id) | 3.3A | |
| Pd - Power Dissipation | 625mW | |
| RDS(on) | 60mΩ@4.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 8.6nC@4.5V | |
| Vgs | ±12V | |
| Type | P-Channel |
Aiuto & FeedbackMostra prodotti simili (0) >
Descrizione
Traduzione AI
NCE20P70G utilizes advanced trench technology and design to deliver excellent drain-source on-resistance with low gate charge. It is suitable for a wide range of applications.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Advanced trench technology for low R<sub>DS(ON)</sub>, extended battery life
- SC-88 small outline package (2x2 mm, equivalent to SC70-6)
- Gate diode for ESD protection
- NV prefix for automotive and other applications with unique sourcing and change control requirements; AEC-Q101 qualified with PPAP capability
- Lead-free, halogen-free/BFR-free, RoHS compliant
Applicazioni
Traduzione AI
- High-side load switch — mobile phones, computers, digital cameras, MP3 players, and PDAs
Garanzia su ogni ordine
100% Autentico · Reso o Sostituzione entro 30 Giorni
Disponibile: 100
100 Pronta consegna
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
| Qtà | Pr. unit. | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 0.4306 | $ 0.43 |
| 10+ | $ 0.4257 | $ 4.26 |
| 30+ | $ 0.4225 | $ 12.68 |
| 100+ | $ 0.4192 | $ 41.92 |
Package Standard3000/Full Reel | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | onsemi | |
| Imballo | SC-88-6 | |
| Configuration | - | |
| Drain to Source Voltage | 12V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 170pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3.3A | |
| Pd - Power Dissipation | 625mW | |
| RDS(on) | 60mΩ@4.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 8.6nC@4.5V | |
| Vgs | ±12V | |
| Type | P-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | onsemi | |
| Imballo | SC-88-6 | |
| Configuration | - | |
| Drain to Source Voltage | 12V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 170pF |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Current - Continuous Drain(Id) | 3.3A | |
| Pd - Power Dissipation | 625mW | |
| RDS(on) | 60mΩ@4.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 8.6nC@4.5V | |
| Vgs | ±12V | |
| Type | P-Channel |
Aiuto & FeedbackMostra prodotti simili (0) >
Descrizione
Traduzione AI
NCE20P70G utilizes advanced trench technology and design to deliver excellent drain-source on-resistance with low gate charge. It is suitable for a wide range of applications.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Advanced trench technology for low R<sub>DS(ON)</sub>, extended battery life
- SC-88 small outline package (2x2 mm, equivalent to SC70-6)
- Gate diode for ESD protection
- NV prefix for automotive and other applications with unique sourcing and change control requirements; AEC-Q101 qualified with PPAP capability
- Lead-free, halogen-free/BFR-free, RoHS compliant
Applicazioni
Traduzione AI
- High-side load switch — mobile phones, computers, digital cameras, MP3 players, and PDAs
C236242 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Tipo alternativo | Imballaggio | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI1443EDH-T1-GE3 | VISHAY | Simili | SC-70-6 | 685 | $ 0.4789 | ||
| MCH6342-TL-W | onsemi | Simili | SC-88FL(MCPH-6) | 2 | $ 0.5718 | ||
| RAL035P01TCR | ROHM | Simili | TUMT6 | 1,020 | $ 0.2205 | ||
| RRL035P03TR | ROHM | Simili | TUMT6 | 675 | $ 0.1626 | ||
| SI1417EDH-T1-GE3-VB | VBsemi Elec | Simili | SC-70-6 | 61 | $0.3901 $0.4589 |
5 altri componenti alternativi.Visualizza tutti i sostituti