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VISHAY SIA112LDJ-T1-GE3

Fabricante
VISHAY
N.º de pieza fab.
SIA112LDJ-T1-GE3
Nº LCSC
C20346104
Emb.
PowerPAKSC-70-6
Número de Cliente
Atrib. clave
15.6W 100V 8.8A 135mΩ@4.5V 1 N-channel N-Channel PowerPAKSC-70-6 Single FETs, MOSFETs RoHS
Hoja de DatosVISHAY SIA112LDJ-T1-GE3
Cumplimiento RoHS2 documentos disponibles
Piezas alternativas1
Garantía en cada pedido
100% Auténtico · Devolución o Reemplazo en 30 Días

Especificaciones del Producto

Todo
TipoDescripción
CategoríaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
FabricanteVISHAY
Emb.PowerPAKSC-70-6
Output Capacitance(Coss)30pF
Ciss-Input Capacitance355pF
Pd - Power Dissipation15.6W
Configuration-
Operating Temperature-55℃~+150℃
Drain to Source Voltage100V
Current - Continuous Drain(Id)8.8A
Reverse Transfer Capacitance (Crss)5pF
RDS(on)135mΩ@4.5V
Number1 N-channel
Gate Charge(Qg)11.8nC@10V
Vgs±20V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))2.5V
TypeN-Channel
Ayuda y comentariosMostrar productos similares (0) >

Características

Traducción por IA
  • TrenchFET Gen IV Power MOSFET
  • Optimized for lowest R<sub>DS</sub> - Q<sub>oss</sub> figure of merit
  • 100% Rq and UIS tested

Aplicaciones

Traducción por IA
  • Primary-side switch
  • DC/DC converter
  • Motor drive switch
  • Boost converter
  • LED backlight