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Tritech-MOS TMG0069N04DF

Hersteller
Tritech-MOSAsian Brands
Herst.-Teilenr.
TMG0069N04DF
LCSC-Nr.
C19189166
Verp.
PDFN-8L(3x3)
Kundennummer
Hauptmerkm.
N-Channel Enhancement Mosfet
DatenblattTritech-MOS TMG0069N04DF
RoHS-Konformität2 Dokumente verfügbar
Alternativteile4
Garantie auf jede Bestellung
100% Authentisch · 30-Tage-Rückgabe oder -Umtausch
Vorrätig: 6,595
6,595 Ab Lager, sofort versandfertig
Minimum: 5Vielfaches: 5Verkaufseinheit: Piece
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Stk.E-PreisGesamtbetrag
5+$ 0.1872$ 0.1779$ 0.89
50+$ 0.148$ 0.1406$ 7.03
150+$ 0.1312$ 0.1247$ 18.71
500+$ 0.1102$ 0.1047$ 52.35
2,500+$ 0.1009$ 0.0959$ 239.75
5,000+$ 0.0953$ 0.0906$ 453.00
Standardgehäuse5000/Full Reel
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Produktspezifikationen

Alle
TypBeschreibung
KategorieDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
HerstellerTritech-MOS
Verp.PDFN-8L(3x3)
Drain to Source Voltage40V
Current - Continuous Drain(Id)60A
Output Capacitance(Coss)193pF
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))3V
Pd - Power Dissipation39W
RDS(on)6.9mΩ@10V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)38pF
Number1 N-channel
Input Capacitance(Ciss)690pF
Gate Charge(Qg)5.8nC@4.5V
TypeN-Channel

Beschreibung

KI-Übersetzung
  • Low on-resistance RDS(ON)
  • RoHS compliant and halogen-free

Merkmale

KI-Übersetzung
  • Drain-source voltage V DS = 40V, drain current I D = 60A
  • On-resistance R DS(ON) = 6.9mΩ (typical) at gate-source voltage V GS = 10V
  • 100% tested for single-pulse avalanche ruggedness
  • 100% tested for gate resistance

Anwendungen

KI-Übersetzung
  • Load Switch - Pulse Width Modulation (PWM)

Alternativteile

MPNHerstellerVerpackungVerfügbarkeitStückpreis
TMG60N04DFTritech-MOSPDFN3x3-8L1,380$0.1937 $0.2038
TMGN4060DFTritech-MOSPDFN3x3-8L4,930$0.1528 $0.1608
TM80N04DFTritech-MOSDFN3x3-80$0.1612 $0.1696
TMN4080DFTritech-MOSDFN-8(3x3)0$0.1612 $0.1696