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Nexperia BUK7Y6R0-60EX
| Produttore | |
| Cod. Prod. | BUK7Y6R0-60EX |
| Cod. LCSC | C179355 |
| Imballo | SOT-669 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | 195W 60V 100A 4V 6mΩ@10V 1 N-channel N-Channel SOT-669 Single FETs, MOSFETs RoHS |
| Scheda Tecnica | Nexperia BUK7Y6R0-60EX |
| Conformità RoHS | 1 documenti disponibili |
| Parti alternative | 4 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Nexperia | |
| Imballo | SOT-669 | |
| Output Capacitance(Coss) | 471pF | |
| Pd - Power Dissipation | 195W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 100A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 343pF | |
| RDS(on) | 6mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 4.021nF | |
| Gate Charge(Qg) | 45.4nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Nexperia | |
| Imballo | SOT-669 | |
| Output Capacitance(Coss) | 471pF | |
| Pd - Power Dissipation | 195W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 100A |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 343pF | |
| RDS(on) | 6mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 4.021nF | |
| Gate Charge(Qg) | 45.4nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Type | N-Channel |
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Descrizione
Traduzione AI
Standard-level N-channel MOSFET using TrenchMOS technology in LFPAK56 (Power SO8) package. This product is designed and qualified to AEC Q101 standard for high-performance automotive applications.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Q101 compliant
- Repetitive avalanche rated
- 175°C temperature rating for high thermal demand environments
- True standard-level gate with VGS(th) rated above 1 V at 175°C
Applicazioni
Traduzione AI
- 12 V automotive systems
- Motor, lamp, and solenoid control
- Transmission control
- Ultra-high-performance power switching
Garanzia su ogni ordine
100% Autentico · Reso o Sostituzione entro 30 Giorni
Esaurito
Avvisami
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
| Qtà | Pr. unit.(Solo per riferimento) | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 0.6818 | $ 0.68 |
| 10+ | $ 0.5553 | $ 5.55 |
| 30+ | $ 0.4921 | $ 14.76 |
| 100+ | $ 0.4304 | $ 43.04 |
| 500+ | $ 0.3918 | $ 195.90 |
| 1,500+ | $ 0.3733 | $ 559.95 |
Package Standard1500/Full Reel | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Nexperia | |
| Imballo | SOT-669 | |
| Output Capacitance(Coss) | 471pF | |
| Pd - Power Dissipation | 195W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 100A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 343pF | |
| RDS(on) | 6mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 4.021nF | |
| Gate Charge(Qg) | 45.4nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Nexperia | |
| Imballo | SOT-669 | |
| Output Capacitance(Coss) | 471pF | |
| Pd - Power Dissipation | 195W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 100A |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 343pF | |
| RDS(on) | 6mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 4.021nF | |
| Gate Charge(Qg) | 45.4nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Type | N-Channel |
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Descrizione
Traduzione AI
Standard-level N-channel MOSFET using TrenchMOS technology in LFPAK56 (Power SO8) package. This product is designed and qualified to AEC Q101 standard for high-performance automotive applications.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Q101 compliant
- Repetitive avalanche rated
- 175°C temperature rating for high thermal demand environments
- True standard-level gate with VGS(th) rated above 1 V at 175°C
Applicazioni
Traduzione AI
- 12 V automotive systems
- Motor, lamp, and solenoid control
- Transmission control
- Ultra-high-performance power switching
C179355 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Imballaggio | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| BUK7Y7R2-60EX | Nexperia | SOT-669 | 15 | $ 1.5399 | ||
| BUK7Y7R8-80E | Nexperia | SOT-669 | 28 | $ 2.5995 | ||
| PSMN4R1-60YLX | Nexperia | SOT-669 | 0 | $ 0.6902 | ||
| PSMN8R0-80YLX | Nexperia | SOT-669 | 0 | $ 0.7558 |