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Comchip 1N4006T-G product image
Imágenes ilustrativas

Comchip 1N4006T-G

Fabricante
ComchipAsian Brands
N.º de pieza fab.
1N4006T-G
Nº LCSC
C17210375
Emb.
DO-41
Número de Cliente
Atrib. clave
800V 1 Independent 1.1V@1A 1A DO-41 Single Diodes RoHS
Hoja de DatosComchip 1N4006T-G
Piezas alternativas5
Garantía en cada pedido
100% Auténtico · Devolución o Reemplazo en 30 Días

Especificaciones del Producto

Todo
TipoDescripción
CategoríaDiscrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Single Diodes
FabricanteComchip
Emb.DO-41
Operating Junction Temperature Range-55℃~+150℃
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)800V
Diode Configuration1 Independent
Voltage - Forward(Vf@If)1.1V@1A
Reverse Leakage Current (Ir)5uA
Current - Rectified1A
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current30A
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Características

Traducción por IA
  • Low cost construction.
  • Fast forward voltage drop.
  • Low reverse leakage.
  • High forward surge current capability.