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Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS16N06AE-G

Hersteller
Wuxi China Resources Huajing MicroelectronicsAsian Brands
Herst.-Teilenr.
CS16N06AE-G
LCSC-Nr.
C162380
Verp.
SOP-8
Kundennummer
Hauptmerkm.
3.1W 60V 16A 3V 12mΩ@4.5V 1 N-channel N-Channel SOP-8 Single FETs, MOSFETs
DatenblattWuxi China Resources Huajing Microelectronics CS16N06AE-G
Garantie auf jede Bestellung
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500+$ 0.3046$ 152.30
1,000+$ 0.2933$ 293.30
Standardgehäuse2500/Full Reel
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Produktspezifikationen

Alle
TypBeschreibung
KategorieDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
HerstellerWuxi China Resources Huajing Microelectronics
Verp.SOP-8
Output Capacitance(Coss)296pF
Pd - Power Dissipation3.1W
Configuration-
Operating Temperature-
Drain to Source Voltage60V
Current - Continuous Drain(Id)16A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))3V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)220pF
RDS(on)12mΩ@4.5V
Number1 N-channel
Input Capacitance(Ciss)4.398nF
Gate Charge(Qg)88.8nC@10V
Vgs±20V
TypeN-Channel
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Beschreibung

KI-Übersetzung

CS16N06 AE-G is a silicon N-channel enhancement-mode VDMOSFET fabricated using high-density trench technology, which reduces conduction losses, improves switching performance, and enhances avalanche energy capability. This transistor is suitable for various power switching circuits, enabling system miniaturization and higher efficiency. Available in SOP8 package, RoHS compliant.

Merkmale

KI-Übersetzung
  • Fast switching
  • Low on-resistance (Rdson ≤ 10mΩ)
  • Low gate charge (typical: 88.8nC)
  • Low reverse transfer capacitance (typical: 220pF)
  • 100% single-pulse avalanche energy tested

Anwendungen

KI-Übersetzung
  • Power switching circuits for adapters and chargers.