15% OFF
- Pinout
- Footprint
Immagini a scopo illustrativo
Modelli EDAEasyEDA
VBsemi Elec NVD5414NT4G-VB
| Produttore | VBsemi ElecAsian Brands |
| Cod. Prod. | NVD5414NT4G-VB |
| Cod. LCSC | C5456583 |
| Imballo | TO-252 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | MOSFET N-CH 60V 45A TO-252 |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec NVD5414NT4G-VB |
| Parti alternative | 5 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VBsemi Elec | |
| Imballo | TO-252 | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Output Capacitance(Coss) | 140pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 45A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Pd - Power Dissipation | 3W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 60pF | |
| RDS(on) | 25mΩ@10V;30mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.5nF | |
| Gate Charge(Qg) | 11nC@10V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VBsemi Elec | |
| Imballo | TO-252 | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Output Capacitance(Coss) | 140pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 45A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 3W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 60pF | |
| RDS(on) | 25mΩ@10V;30mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.5nF | |
| Gate Charge(Qg) | 11nC@10V | |
| Type | N-Channel |
Aiuto & FeedbackMostra prodotti simili (0) >
Caratteristiche
Traduzione AI
- Trench power MOSFET
- Junction temperature up to 175°C
- RoHS compliant
- Drain connected to heatsink
- N-channel MOSFET
Applicazioni
Traduzione AI
- Laptop CPU core - high-end switching
Garanzia su ogni ordine
100% Autentico · Reso o Sostituzione entro 30 Giorni
Disponibile: 100
100 Pronta consegna
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
| Qtà | Pr. unit. | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 0.5081$ 0.4319 | $ 0.43 |
| 10+ | $ 0.4017$ 0.3415 | $ 3.42 |
| 30+ | $ 0.3573$ 0.3038 | $ 9.11 |
| 100+ | $ 0.3001$ 0.2551 | $ 25.51 |
| 500+ | $ 0.2747$ 0.2335 | $ 116.75 |
| 1,000+ | $ 0.2588$ 0.2200 | $ 220.00 |
Package Standard2500/Full Reel | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VBsemi Elec | |
| Imballo | TO-252 | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Output Capacitance(Coss) | 140pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 45A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Pd - Power Dissipation | 3W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 60pF | |
| RDS(on) | 25mΩ@10V;30mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.5nF | |
| Gate Charge(Qg) | 11nC@10V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VBsemi Elec | |
| Imballo | TO-252 | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Output Capacitance(Coss) | 140pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 45A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 3W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 60pF | |
| RDS(on) | 25mΩ@10V;30mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.5nF | |
| Gate Charge(Qg) | 11nC@10V | |
| Type | N-Channel |
Aiuto & FeedbackMostra prodotti simili (0) >
Caratteristiche
Traduzione AI
- Trench power MOSFET
- Junction temperature up to 175°C
- RoHS compliant
- Drain connected to heatsink
- N-channel MOSFET
Applicazioni
Traduzione AI
- Laptop CPU core - high-end switching
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Tipo alternativo | Imballaggio | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STD30NF06T4-VB | VBsemi Elec | Simili | TO-252 | 47 | $0.4438 $0.5221 | ||
| 12N6LE-VB | VBsemi Elec | Simili | TO-252 | 39 | $0.4438 $0.5221 | ||
| SPD15N06S2L-64-VB | VBsemi Elec | Simili | TO-252 | 3 | $0.3875 $0.4078 | ||
| FQD20N06TM-VB | VBsemi Elec | Simili | TO-252 | 34 | $0.4387 $0.5161 | ||
| NP32N055ILE-VB | VBsemi Elec | Simili | TO-252 | 4 | $0.4482 $0.5272 |
5 altri componenti alternativi.Visualizza tutti i sostituti