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Winsok Semicon WSF20N20G
| Produttore | Winsok SemiconAsian Brands |
| Cod. Prod. | WSF20N20G |
| Cod. LCSC | C2906366 |
| Imballo | TO-252 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | MOSFET N-CH 200V 18A TO-252 |
| Scheda Tecnica | Winsok Semicon WSF20N20G |
| Conformità RoHS | 1 documenti disponibili |
| Parti alternative | 2 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Winsok Semicon | |
| Imballo | TO-252 | |
| Output Capacitance(Coss) | 181pF | |
| Pd - Power Dissipation | 104W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 18A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| RDS(on) | 160mΩ@10V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 76pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.317nF | |
| Gate Charge(Qg) | 40nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Winsok Semicon | |
| Imballo | TO-252 | |
| Output Capacitance(Coss) | 181pF | |
| Pd - Power Dissipation | 104W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 18A |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| RDS(on) | 160mΩ@10V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 76pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.317nF | |
| Gate Charge(Qg) | 40nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Type | N-Channel |
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Descrizione
Traduzione AI
The WSF20N20G is N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Advanced high cell density Trench technology
- Super Low Gate Charge
- Excellent Cdv/dt effect decline
- Green Device Available
Applicazioni
Traduzione AI
- Uninterruptible Power Supply(UPS)
- Power Factor Correction (PFC)
Garanzia su ogni ordine
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Disponibile: 1,665
1,665 Pronta consegna
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
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| Qtà | Pr. unit. | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 0.5304 | $ 0.53 |
| 10+ | $ 0.4713 | $ 4.71 |
| 30+ | $ 0.4417 | $ 13.25 |
| 100+ | $ 0.4121 | $ 41.21 |
| 500+ | $ 0.3941 | $ 197.05 |
| 1,000+ | $ 0.3859 | $ 385.90 |
Package Standard2500/Full Reel | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Winsok Semicon | |
| Imballo | TO-252 | |
| Output Capacitance(Coss) | 181pF | |
| Pd - Power Dissipation | 104W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 18A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| RDS(on) | 160mΩ@10V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 76pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.317nF | |
| Gate Charge(Qg) | 40nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Winsok Semicon | |
| Imballo | TO-252 | |
| Output Capacitance(Coss) | 181pF | |
| Pd - Power Dissipation | 104W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 18A |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| RDS(on) | 160mΩ@10V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 76pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.317nF | |
| Gate Charge(Qg) | 40nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Type | N-Channel |
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Descrizione
Traduzione AI
The WSF20N20G is N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Advanced high cell density Trench technology
- Super Low Gate Charge
- Excellent Cdv/dt effect decline
- Green Device Available
Applicazioni
Traduzione AI
- Uninterruptible Power Supply(UPS)
- Power Factor Correction (PFC)
C2906366 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Tipo alternativo | Imballaggio | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| WSF25N20 | Winsok Semicon | Simili | TO-252 | 910 | $ 0.8095 | ||
| WSF35N20 | Winsok Semicon | Simili | TO-252-2L | 116 | $0.7062 $0.8308 |
2 altri componenti alternativi.Visualizza tutti i sostituti