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EDA 모델EasyEDA
JSMSEMI Si2343CDS-T1-GE3-JSM
| 제조업체 | JSMSEMIAsian Brands |
| 제조사 품번 | Si2343CDS-T1-GE3-JSM |
| LCSC 번호 | C18192563 |
| 포장 | SOT-23 |
| 고객 번호 | |
| 주요 제원 | 30V 4.3A 1.2V 1.5W 78mΩ@2.5V 1 P-Channel P-Channel SOT-23 Single FETs, MOSFETs RoHS |
| 데이터시트 | JSMSEMI Si2343CDS-T1-GE3-JSM |
| RoHS 준수 | 6개 문서 이용 가능 |
| 대체 부품 | 5 |
제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | JSMSEMI | |
| 포장 | SOT-23 | |
| Operating Temperature | - | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Output Capacitance(Coss) | 280pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.3A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.2V | |
| Pd - Power Dissipation | 1.5W | |
| RDS(on) | 78mΩ@2.5V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 102pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 672pF | |
| Gate Charge(Qg) | 6.2nC@4.5V | |
| Type | P-Channel |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | JSMSEMI | |
| 포장 | SOT-23 | |
| Operating Temperature | - | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Output Capacitance(Coss) | 280pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.3A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.2V |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 1.5W | |
| RDS(on) | 78mΩ@2.5V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 102pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 672pF | |
| Gate Charge(Qg) | 6.2nC@4.5V | |
| Type | P-Channel |
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개요
AI 번역
P-channel logic-level enhancement-mode power MOSFETs are fabricated using advanced trench technology with high cell density. This high-density process is specifically designed to minimize on-resistance. These devices are particularly suited for low-voltage applications and scenarios requiring low in-line power dissipation in ultra-compact SMT packages.
주요 특징
AI 번역
- -30V/-4.3A, RDS(ON) = 44mΩ (typical) @ VGS = -10V
- -30V/-3.5A, RDS(ON) = 50mΩ (typical) @ VGS = -4.5V
- -30V/-2.5A, RDS(ON) = 65mΩ (typical) @ VGS = -2.5V
- Ultra-high design for extremely low RDS(ON)
- Excellent on-resistance and maximum DC current capability
- Fully RoHS compliant
- SOT23-3 package
응용 분야
AI 번역
- Power Management
- Portable Devices
- DC/DC Converters
- Load Switches
- Digital Cameras
- LCD Monitor Inverters
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| 수량 | 단가(참고용) | 총액 |
|---|---|---|
| 1+ | $ 0.1068 | $ 0.11 |
| 200+ | $ 0.0426 | $ 8.52 |
| 500+ | $ 0.0412 | $ 20.60 |
| 1,000+ | $ 0.0405 | $ 40.50 |
표준 패키지3000/Full Reel | ||
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$
제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | JSMSEMI | |
| 포장 | SOT-23 | |
| Operating Temperature | - | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Output Capacitance(Coss) | 280pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.3A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.2V | |
| Pd - Power Dissipation | 1.5W | |
| RDS(on) | 78mΩ@2.5V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 102pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 672pF | |
| Gate Charge(Qg) | 6.2nC@4.5V | |
| Type | P-Channel |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | JSMSEMI | |
| 포장 | SOT-23 | |
| Operating Temperature | - | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Output Capacitance(Coss) | 280pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.3A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.2V |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 1.5W | |
| RDS(on) | 78mΩ@2.5V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 102pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 672pF | |
| Gate Charge(Qg) | 6.2nC@4.5V | |
| Type | P-Channel |
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개요
AI 번역
P-channel logic-level enhancement-mode power MOSFETs are fabricated using advanced trench technology with high cell density. This high-density process is specifically designed to minimize on-resistance. These devices are particularly suited for low-voltage applications and scenarios requiring low in-line power dissipation in ultra-compact SMT packages.
주요 특징
AI 번역
- -30V/-4.3A, RDS(ON) = 44mΩ (typical) @ VGS = -10V
- -30V/-3.5A, RDS(ON) = 50mΩ (typical) @ VGS = -4.5V
- -30V/-2.5A, RDS(ON) = 65mΩ (typical) @ VGS = -2.5V
- Ultra-high design for extremely low RDS(ON)
- Excellent on-resistance and maximum DC current capability
- Fully RoHS compliant
- SOT23-3 package
응용 분야
AI 번역
- Power Management
- Portable Devices
- DC/DC Converters
- Load Switches
- Digital Cameras
- LCD Monitor Inverters
C18192563 EasyEDA 라이브러리
컴플라이언스 & 수출 코드
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
대체 부품
| MPN | 제조사 | 대체 유형 | 포장 | 재고 현황 | 단가 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AO3401A-JSM | JSMSEMI | 유사 제품 | SOT-23 | 2,500 | $ 0.0376 | ||
| SI2319CDS-T1-GE3-JSM | JSMSEMI | 유사 제품 | SOT-23 | 660 | $0.0483 $0.0508 | ||
| SPP2303W-JSM | JSMSEMI | 유사 제품 | SOT-23 | 2,560 | $ 0.0906 | ||
| SSM3J328R-JSM | JSMSEMI | 유사 제품 | SOT-23 | 2,925 | $ 0.0864 | ||
| CJ3415-JSM | JSMSEMI | 유사 제품 | SOT-23 | 3,000 | $ 0.0721 |
5 개의 추가 대체 부품이 있습니다.모든 대체품 보기