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ROHM EMF21T2R product image
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ROHM EMF21T2R

Fabricante
ROHM
N.º de pieza fab.
EMF21T2R
Nº LCSC
C17288591
Emb.
SOT-563(SOT-666)
Número de Cliente
Atrib. clave
30 150mW 1A 12V 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP SOT-563(SOT-666) Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased RoHS
Hoja de DatosROHM EMF21T2R
Cumplimiento RoHS2 documentos disponibles
Garantía en cada pedido
100% Auténtico · Devolución o Reemplazo en 30 Días

Especificaciones del Producto

Todo
TipoDescripción
CategoríaDiscrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased
FabricanteROHM
Emb.SOT-563(SOT-666)
Current - Collector Cutoff100nA
Transition frequency(fT)260MHz
Emitter-Base Voltage VEBO6V
DC Current Gain30
Operating Temperature-
Vce Saturation(VCE(sat))250mV
Output Voltage(VO(on))300mV@10mA,500uA
Input Resistor13kΩ
Resistor Ratio1
Pd - Power Dissipation150mW
Input Voltage (VI(on)@Ic,Vce)3V@10mA,300mV
Voltage - Input(Max)(VI(off))500mV@100uA,5V
Current - Collector(Ic)1A
Collector - Emitter Voltage VCEO12V
typeNPN+PNP
Number1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
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Características

Traducción por IA
  • Single-package power switch circuit.
  • Mounting cost and footprint reduced by up to 50%.

Aplicaciones

Traducción por IA
  • Power management circuit