LCSC Electronics logoLCSC Electronics svg logo
Iniciar sesión
USD
UTC UF840KG-TN3-R product image
  • UF840KG-TN3-R thumbnail 1
  • UF840KG-TN3-R thumbnail 2
  • UF840KG-TN3-R thumbnail 3
  • Diagrama de pines
  • Footprint
Imágenes ilustrativas

UTC UF840KG-TN3-R

Fabricante
UTCAsian Brands
N.º de pieza fab.
UF840KG-TN3-R
Nº LCSC
C171450
Emb.
TO-252
Número de Cliente
Atrib. clave
MOSFET N-CH 500V 8A TO-252
Hoja de DatosUTC UF840KG-TN3-R
Cumplimiento RoHS1 documentos disponibles
Piezas alternativas5
Garantía en cada pedido
100% Auténtico · Devolución o Reemplazo en 30 Días

Especificaciones del Producto

Todo
TipoDescripción
CategoríaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
FabricanteUTC
Emb.TO-252
Output Capacitance(Coss)105pF
Ciss-Input Capacitance920pF
Pd - Power Dissipation107W
Operating Temperature-
Configuration-
Drain to Source Voltage500V
Current - Continuous Drain(Id)8A
Reverse Transfer Capacitance (Crss)10pF
RDS(on)870mΩ@10V
Number1 N-channel
Gate Charge(Qg)24nC@10V
Vgs±30V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))4V
TypeN-Channel
Ayuda y comentariosMostrar productos similares (0) >

Descripción

Traducción por IA

The N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, switching converters, solenoid, motor drivers, relay drivers.

Características

Traducción por IA
  • Low RDS(ON) < 0.87Ω @ VGS = 10V, ID = 4.4A
  • Single Pulse Avalanche Energy Rated
  • Fast Switching Speeds
  • Linear Transfer Characteristics
  • High Input Impedance

Aplicaciones

Traducción por IA
  • switching regulators
  • switching converters
  • solenoid
  • motor drivers
  • relay drivers