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NCE NCE40H12K
| Fabricante | NCEAsian Brands |
| Cód. da peça | NCE40H12K |
| Nº LCSC | C148243 |
| Emb. | TO-252-2L |
| Número do Cliente | |
| Atrib. princ. | MOSFET N-CH 40V 120A TO-252-2L |
| Folha de Dados | NCE NCE40H12K |
| Peças alternativas | 2 |
Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | NCE | |
| Emb. | TO-252-2L | |
| Output Capacitance(Coss) | 970pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 5.4nF | |
| Pd - Power Dissipation | 120W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 120A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 380pF | |
| RDS(on) | 7mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 75nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | NCE | |
| Emb. | TO-252-2L | |
| Output Capacitance(Coss) | 970pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 5.4nF | |
| Pd - Power Dissipation | 120W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 40V |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Current - Continuous Drain(Id) | 120A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 380pF | |
| RDS(on) | 7mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 75nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Type | N-Channel |
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Descrição
Tradução por IA
The NCE40H12K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.
Recursos
Tradução por IA
- VDS = 40V, ID = 120A
- RDS(ON) < 4.0mΩ @ VGS = 10V
- RDS(ON) < 7mΩ @ VGS = 4.5V
- High density cell design for ultra low Rdson
- Fully characterized avalanche voltage and current
- Good stability and uniformity with high EAS
- Excellent package for good heat dissipation
- Special process technology for high ESD capability
Aplicações
Tradução por IA
- Load switching
- Hard switched and high frequency circuits
- Uninterruptible power supply
Garantia em cada pedido
100% Autêntico · Devolução ou Substituição em 30 Dias
Em estoque: 1,825
1,825 Em estoque, envio imediato
Mínimo: 5Múltiplo: 5Unidade de venda: Piece
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| Qtd. | Preço unit. | Valor total |
|---|---|---|
| 5+ | $ 0.4826 | $ 2.41 |
| 50+ | $ 0.3721 | $ 18.61 |
| 150+ | $ 0.3234 | $ 48.51 |
| 500+ | $ 0.2649 | $ 132.45 |
| 2,500+ | $ 0.2372 | $ 593.00 |
| 5,000+ | $ 0.221 | $ 1105.00 |
Encapsulamento Padrão2500/Full Reel | ||
Melhor preço para maior quantidade?
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Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | NCE | |
| Emb. | TO-252-2L | |
| Output Capacitance(Coss) | 970pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 5.4nF | |
| Pd - Power Dissipation | 120W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 120A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 380pF | |
| RDS(on) | 7mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 75nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | NCE | |
| Emb. | TO-252-2L | |
| Output Capacitance(Coss) | 970pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 5.4nF | |
| Pd - Power Dissipation | 120W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 40V |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Current - Continuous Drain(Id) | 120A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 380pF | |
| RDS(on) | 7mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 75nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Type | N-Channel |
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Descrição
Tradução por IA
The NCE40H12K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.
Recursos
Tradução por IA
- VDS = 40V, ID = 120A
- RDS(ON) < 4.0mΩ @ VGS = 10V
- RDS(ON) < 7mΩ @ VGS = 4.5V
- High density cell design for ultra low Rdson
- Fully characterized avalanche voltage and current
- Good stability and uniformity with high EAS
- Excellent package for good heat dissipation
- Special process technology for high ESD capability
Aplicações
Tradução por IA
- Load switching
- Hard switched and high frequency circuits
- Uninterruptible power supply
C148243 Biblioteca EasyEDA
Conformidade & Códigos de Exportação
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| ECCN | |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| ECCN | |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Peças alternativas
| MPN | Fabricante | Tipo alternativo | Embalagem | Disponibilidade | Preço unitário | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NCEP60T12AK | NCE | Similares | TO-252-2L | 4,380 | $ 1.0868 | ||
| NCEP40T11K | NCE | Similares | TO-252-2L | 0 | $ 0.4814 |